Le ministère américain du Commerce a annoncé le 25 avril l’attribution à Micron Technology d’une subvention fédérale de 6,14 milliards de dollars dans le cadre du plan « Chips and Science Act », qui soutient la production et la recherche dans les semi-conducteurs aux Etats-Unis. A ce financement direct s’ajoutent des prêts de 7,5 milliards de dollars du ministère américain du Trésor, une aide de 5,5 milliards de dollars de l’Etat de New York et des crédits d’impôt atteignant 25 % des montants éligibles d’investissement.
Micron Technology fait figure de seul fabricant américain et troisième mondial (derrière les sud-coréens Samsung et SK hynix) de mémoires vives Dram, des composants considérés comme banalisés mais qui sont au cœur de tous les équipements électroniques et informatiques, y compris ceux dans des secteurs sensibles comme l’aérospatial, la défense ou la sécurité. Cette famille de semi-conducteurs prend de l’importance avec l’émergence des mémoires à large bande passante HBM (High bandwith memory) comme des composants critiques de l’IA, une technologie dans laquelle les Etats-Unis veulent rester leader mondial.
Composants critiques de l'IA
Le financement public vise à aider Micron Technology dans ses projets de trois mégafabs de 25 milliards de dollars chacune sur dix ans, une à Boise, dans l’Idaho, où se situe son siège social, et deux à Clay, dans l’Etat de New York, une nouvelle implantation. L’objectif est de relocaliser 40 % de sa production aux Etats-Unis d’ici à la fin de la décennie, contre environ 20 % aujourd’hui.
« Les puces mémoires de pointe sont à la base de toutes les technologies avancées, et grâce au leadership du président Biden, l’Amérique reconstruit sa capacité à produire ces composants critiques pour la première fois depuis près de deux décennies, déclare dans le communiqué la secrétaire américaine au Commerce, Gina Raimondo. Avec cet investissement proposé, nous nous efforçons d'atteindre l'un des objectifs fondamentaux du programme Chips and Science act : consolider le développement et la production de la technologie de mémoire la plus avancée, qui est cruciale pour sauvegarder notre leadership en matière d'intelligence artificielle et protéger notre économie et notre sécurité nationale. »
Micron Technology prévoit d’investir jusqu’à 125 milliards de dollars (100 milliards de dollars à Clay, dans l’Etat de New York, et 25 milliards de dollars à Boise, en Idaho) au cours des 20 prochaines années, dont 50 milliards au cours de six prochaines années. En plus d’une nouvelle mégafab, le campus de Boise bénéficiera d’une consolidation des forces R&D de l’entreprise, de façon à disposer d’un site intégré de développement et production des prochaines générations de mémoires Dram.
Création de plus de 11 000 emplois qualifiés
« Il s'agit d'un moment historique pour la fabrication de semi-conducteurs aux États-Unis, commente pour sa part Sanjay Mehrotra, PDG de Micron Technology. La mémoire de pointe de Micron est essentielle pour répondre aux demandes croissantes de l’intelligence artificielle, et nous sommes fiers de réaliser d’importants investissements dans la fabrication de mémoire aux États-Unis, ce qui créera de nombreux emplois de haute technologie. » Micron Technology promet de créer sur les deux prochaines décennies 9 000 emplois sur le site new yorkais et 2 000 sur celui de Boise.
L’Etat fédéral débloque également plus de 40 millions de dollars en faveur du développement de la main-d'œuvre qualifiée nécessaire au plan d'expansion de Micron Technology, dans un contexte où la pénurie de talents tend à freiner l’extension des activités de production et de R&D dans les semi-conducteurs. Le fabricant américain de mémoires Dram assure aujourd’hui l’essentiel de sa production avec ses sites à Taiwan, à Singapour et au Japon.
Micron Technology est le septième fabricant de semi-conducteurs à se voir attribuer des subsides dans le cadre du plan « Chips and Science Act » après BAE Systems, Microchip Technology, GlobalFoundries, Intel, TSMC et Samsung. Il touche une subvention légèrement inférieure à celle d’Intel (8,5 milliards de dollars) mais comparable à celles de TSMC (6,6 milliards de dollars) et Samsung (6,4 milliards de dollars).
