La mémoire SOT-MRAM franchit une étape supplémentaire sur le chemin qui doit la mener vers l’industrie. Le CEA-Leti, le laboratoire Spintec (commun au CEA, au CNRS et l’université Grenoble Alpes) et NY Creates (un centre de R&D en microélectronique basé à New-York et doté de capacités de fabrication de wafers 300 mm) ont conclu un partenariat pour démontrer la faisabilité de la production de ce type de mémoire magnétique à l’échelle industrielle.
L’annonce est visible sur le site de l’université Grenoble Alpes depuis le 4 septembre dernier. L’accord a été révélé fin juin, en vérité, à la suite d’un communiqué du CEA-Leti.
Fruit de la spintronique, la SOT-MRAM est une mémoire magnétique non volatile de nouvelle génération. Son fonctionnement repose sur un effet de couple spin-orbite, alors que sa grande sœur déjà industrialisée, la STT-MRAM, est basée sur l’effet de couple de transfert de spin.
Les premiers composants attendus en 2025
Une différence qui vaut à la SOT-MRAM d’être à la fois rapide et endurante, alors que le compromis est inévitable pour la STT-MRAM. Parée de telles qualités, la SOT-MRAM pourrait devenir une concurrente sérieuse de la mémoire statique SRAM, qui équipe aujourd’hui les circuits électroniques.
« Mais il y a encore des défis à résoudre, tempère Kevin Garello, ingénieur-chercheur CEA à Spintec et grand spécialiste de cette technologie. Il faut diminuer les courants de programmation et réduire l’empreinte de la SOT-MRAM sur la puce, une densification nécessaire pour que cette mémoire devienne plus compétitive que la SRAM. »
Selon lui, les premiers composants (des cellules-mémoires SOT-MRAM) réalisés dans le cadre de cette collaboration sont attendus en 2025. « Une fois qu’on aura stabilisé les cellules-mémoires, on les co-intégrera avec d’autres circuits dédiés à des fonctions mémoire ou IA pour réaliser des preuves de concept sur des systèmes », informe Kevin Garello.
