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Le fournisseur International Rectifier présente ses transistors IRF6662 et IRF6668, spécialement conçus pour les convertisseurs à haut rendement. Grâce à une technologie avancée, ces deux modèles se distinguent par leur performance et leur fiabilité sur le marché des équipements industriels.
1. Un rendement optimisé : Les transistors IRF6662 et IRF6668 offrent jusqu'à 10% de réduction des pertes de puissance par rapport à leurs concurrents en boîtier SO-8. Cette optimisation est rendue possible grâce à une faible résistance à l'état passant de 22mOhm pour l'IRF6662 et 15mOhm pour l'IRF6668, ainsi qu'une charge de grille réduite.
2. Une technologie révolutionnaire : Ces transistors intègrent la technologie DirectFET d'International Rectifier qui permet une évacuation de la chaleur sur les deux faces de la puce. Résultat ? Une augmentation de 15% de la densité de puissance des convertisseurs 200W, permettant d'atteindre une meilleure efficacité dans la conversion d'énergie.
3. Des performances adaptées à vos besoins : Disponibles en versions 80V et 100V, les transistors IRF6662 et IRF6668 sont conçus pour s'adapter à une large gamme d'applications industrielles. Que vous recherchiez une performance optimale pour la commutation primaire ou une solution robuste pour vos convertisseurs de moyenne puissance, ces modèles répondront à vos attentes.
4. Une réponse à des exigences précises : Avec leurs capacités respectives de grille et de réaction de 22nF et 6,8nF, l'IRF6662 et l'IRF6668 offrent une grande précision dans la gestion de la charge, permettant une commutation plus rapide et une efficacité accrue.
En optant pour les transistors IRF6662 et IRF6668 d'International Rectifier, vous bénéficierez d'un confort d'utilisation optimal, tout en maximisant le rendement de vos convertisseurs. Prenez part à l'innovation en équipant votre entreprise de technologie de pointe, gage de performance et de fiabilité.
Type de composant : MOSFETFournisseur : International RectifierTension nominale : 80V ou 100VRésistance à l'état passant : 22mOhm (IRF6662) ou 15mOhm (IRF6668)Charge de grille : 22nFCapacité de réaction : 6,8nFTechnologie : DirectFETBoîtier : SO-8