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Faites la découverte du transistor de puissance basse tension miniaturisé ZTX450 du fournisseur ZETEX, une véritable innovation dans le domaine industriel. Il allie robustesse et performance, se révélant indispensable pour votre production.
1. Sa tension collecteur-émetteur est un avantage majeur : Le ZTX450 bénéficie d'une tension collecteur-émetteur haute de 450V. Idéal pour une multitude d'applications industrielles nécessitant une haute tension, il est un composant clé pour la gestion efficace de l'énergie.
2. La force de ce transistor réside aussi dans sa robustesse et sa fiabilité : Il peut transporter un courant collecteur continu (Ic) de 4A, ce qui lui permet de performer à un haut niveau même dans des conditions difficiles. En particulier, il est taillé pour des régimes de fonctionnement continus qui lui sont imposés dans des applications industrielles exigeantes.
3. Finesse technologique : Il propose une faible tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)), garantissant ainsi des performances optimales pour une large gamme d'applications. Plus qu'un simple composant, c'est une véritable valeur ajoutée pour votre équipement, optimisant l'efficacité de votre système électronique.
4. Dissipation thermique excellente : Le ZTX450 est encapsulé dans un boîtier TO-220, permettant ainsi une dissipation thermique efficace qui réduit les risques de surchauffe. Un atout considérable pour garantir la longévité de vos systèmes industriels et éviter les défaillances dues à la chaleur.
En plus de ces quatre atouts majeurs, le ZTX450 est adaptable ; ce transistor de puissance peut être personnalisé selon vos besoins, offrant différentes versions et caractéristiques de gain en courant. L'incorporation du ZTX450 dans vos circuits est aisée permettant de maximiser le rendement de vos appareils sans sacrifier leur fiabilité. En bref, ce transistor, conçu par ZETEX représente un choix de prédilection pour votre industrie, gage de robustesse et de performance.
Boîtier : TO-220Courant collecteur continu (Ic) : 4AFréquence de coupure (fT) : 3MHzGain en courant continu (hFE) : 20-70Puissance de dissipation (Pd) : 50WTension collecteur-émetteur (Vce) : 450VTension de base-émetteur (Vbe) : 5VType de transistor : NPN bipolaire