Commutation électronique de puissance | MOSFET canal N onsemi BS170

Le MOSFET canal N BS170 d’onsemi est un transistor à effet de champ conçu pour les applications de commutation et de contrôle de puissance à faible courant. Basé sur une technologie DMOS à haute densité, il assure une faible résistance à l’état passant et une commutation rapide, répondant aux exigences des systèmes électroniques modernes et des équipements industriels compacts.
 
Ce composant est particulièrement adapté aux circuits de commande, interfaces logiques, systèmes d’automatisation et dispositifs embarqués nécessitant un pilotage efficace des charges. Son boîtier TO-92 à 3 broches facilite son intégration sur les cartes électroniques, aussi bien lors du prototypage que dans les productions en série. Sa structure en mode enrichissement permet un contrôle précis à partir de signaux de commande basse puissance.
 
Grâce à sa tension drain-source maximale de 60 V et à sa conception optimisée pour réduire les pertes électriques, le BS170 contribue à améliorer le rendement des circuits et la fiabilité des équipements. Sa rapidité de commutation permet également de limiter les échauffements et d’optimiser le fonctionnement des systèmes de contrôle électronique, favorisant ainsi la continuité d’exploitation et la réduction des interventions de maintenance.