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Transistor MOSFET canal N de puissance | Infineon IRLZ44NPBF HEXFET

Transistors

“ - Commutation fiable pour charges de puissance élevées. - Faibles pertes énergétiques grâce au faible RDS(on). - Adapté aux convertisseurs et alimentations à découpage. ”
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Le MOSFET canal N IRLZ44NPBF d’Infineon est un composant de puissance conçu pour les applications de commutation et de gestion d’énergie nécessitant une forte capacité en courant. Basé sur la technologie HEXFET, il assure une commutation rapide et efficace tout en limitant les pertes de puissance, ce qui en fait un choix adapté aux systèmes électroniques industriels et aux équipements de contrôle.
 
Grâce à son courant de drain continu de 47 A et à sa tension drain-source maximale de 55 V, ce transistor MOSFET répond aux exigences des alimentations à découpage, convertisseurs DC-DC, systèmes d’éclairage et commandes de moteurs. Son boîtier TO-220 à 3 broches facilite son intégration sur cartes électroniques, variateurs et dispositifs de pilotage de puissance.
 
La faible résistance à l’état passant de 22 mΩ contribue à réduire l’échauffement et à améliorer le rendement énergétique des installations. Associée à une dissipation maximale de 110 W, cette caractéristique favorise la fiabilité des équipements et la continuité de fonctionnement dans les environnements industriels exigeants. Sa faible tension de seuil permet également un pilotage simplifié par des circuits de commande basse tension.

Type : Registre automatique Commande : Pneumatique par distributeur électrique 24 VCC Raccordement : Collier d'assemblage type A Diamètres disponibles Ø80, Ø100, Ø120, Ø140, Ø160, Ø180, Ø200, Ø220, Ø240, Ø260, Ø280, Ø300 Dimensions A : 127 mm (toutes les tailles) Dimensions B : 203 mm (Ø80), 223 mm (Ø100), 243 mm (Ø120), 263 mm (Ø140), 283 mm (Ø160), 303 mm (Ø180), 323 mm (Ø200), 343 mm (Ø220), 363 mm (Ø240), 383 mm (Ø260), 403 mm (Ø280), 423 mm (Ø300)

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