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Transistors SiC d'ELHYTE : une solution robuste pour un rendement optimal. Conçus pour les environnements sévères, ces transistors offrent des performances remarquables grâce à des fréquences de commutation pouvant atteindre jusqu'à 2,7 GHz et des puissances allant jusqu'à 60 W.
1. Haute efficacité : Ces transistors SiC d'ELHYTE contribuent à une réduction significative des pertes de puissance. Vous profiterez ainsi d'un rendement du système amélioré. Par exemple, dans un convertisseur de puissance haute fréquence, cette fonctionnalité limitera les consommations inutiles.
2. Haute densité de puissance : Leur capacité à fournir une dense puissance permet des conceptions d'équipements compactes et légères. Ce critère est essentiel pour des applications comme les moteurs électriques où le poids et le volume sont des facteurs déterminants.
3. Fiabilité accrue : Ultra robustes, les transistors SiC sont garants d'une durée de vie prolongée, même dans des environnements sévères. Si vous avez une alimentation industrielle qui fonctionne en continu dans des conditions difficiles, vous apprécierez cette fiabilité de long terme.
4. Faible EMI (interférences électromagnétiques) : Ces transistors ont la particularité de limiter les EMI, ce qui réduira les potentiels dysfonctionnements de votre système dûs à des perturbations électromagnétiques. Cette caractéristique est particulièrement utile dans des applications comme les onduleurs solaires où une faible émission d'interférences est requise.
5. Facilité d'utilisation : Avec ELHYTE, la complexité de la conception et de l'intégration du système est grandement réduite. Ceci est un gain de temps considérable dans l'optimisation de vos dispositifs industriels.
Les caractéristiques techniques du produit incluent une tension nominale allant de 200V à 1200V, un courant nominal de 50A à 250A, une température de fonctionnement de -55°C à +175°C et une conformité à la norme AEC-Q101. Les transistors sont présentés dans des boîtiers aux types TO-247, TO-263 et TO-268. Fabriqués par ELHYTE, leader dans le domaine des transistors SiC, ces composants sont résolument adaptés à des environnements sévères.
Tension nominale : 200V à 1200VCourant nominal : 50A à 250AFréquence de commutation : Jusqu'à 2,7 GHzPuissance : Jusqu'à 60 WTempérature de fonctionnement : -55°C à +175°CBoîtier : TO-247, TO-263, TO-268Conforme à la norme AEC-Q101Fabricant : ELHYTE