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Transistors MOSFET durcis

Transistors

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Les transistors MOSFET durcis IRHLUB7970Z4 et IRHLUB770Z4 de INTERNATIONAL RECTIFIER représentent une avancée notable pour les entreprises de secteurs industriels et spatiaux. En remplaçant avantageusement les transistors bipolaires classiques, ces composants innovants allient vitesse et efficacité. Ils sont spécialement conçus pour résister à des environnements radioactifs exigeants.

1. Les transistors MOSFET durcis IRHLUB7970Z4 et IRHLUB770Z4 offrent une haute résistance aux radiations, résistant jusqu'à 100 krad et subissent un durcissement aux SEE (Single-Event Effect) jusqu'à un LET de 82 MeV/(mg/cm2). Cela assure une fiabilité exceptionnelle dans les environnements extrêmes, notamment les applications spatiales.
2. Avec une compatibilité directe avec les logiques 3,3V à 5V, ces transistors simplifient les circuits de commande, permettant une intégration facile dans les systèmes existants. Par exemple, un système de contrôle motorisé peut être optimisé sans la nécessité de convertisseurs de niveau supplémentaire.
3. En remplacement des transistors bipolaires classiques, les IRHLUB7970Z4 et IRHLUB770Z4 augmentent la vitesse et le rendement. Un circuit d'alimentation peut ainsi bénéficier d'une meilleure efficacité énergétique, réduisant les coûts opérationnels en améliorant la performance énergétique globale.
4. Grâce à leur faible tension de seuil (1 à 2 V), ces transistors garantissent un fonctionnement optimal avec une teneur énergétique réduite, idéal pour les applications où la consommation électrique est un facteur critique, tel que dans les satellites où le poids et l'énergie à bord sont limités.

Les transistors MOSFET durcis IRHLUB7970Z4 et IRHLUB770Z4 de INTERNATIONAL RECTIFIER se démarquent pour leur robustesse face aux radiations et leur performance accru, faisant d'eux des atouts cruciaux pour les applications industrielles et spatiales. La combinaison d'une haute résistance aux radiations, d'une efficacité augmentée et d'un design compact en fait le choix idéal pour les entreprises cherchant à optimiser leurs systèmes électroniques. Pour toute demande d'information complémentaire ou pour prix, n'hésitez pas à nous contacter.

Type : MOSFET durci aux radiations Tension Drain-Source : 60V Résistance à l'état passant : 0.55? (IRHLUB7970Z4) et 1.2? (IRHLUB770Z4) Courant Drain continu : 7.5A Température de fonctionnement : -55°C à +150°C Boîtier : UB à 3 broches Commande directe par logique : 3,3V à 5V Faible tension de seuil : 1 à 2 V

Spatial Aérospatiale Télécommunications Automobile Nucléaire Énergie

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