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Photodiode SIP S6775

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La photodiode SIP S6775 est un capteur infrarouge proche, conçu par HAMAMATSU PHOTONICS France, pour répondre aux besoins variés en détection lumineuse. Son format compact et sa capacité à détecter avec précision même en conditions de faible luminosité en font un atout précieux pour de nombreuses applications professionnelles. Grâce à ses caractéristiques techniques avancées, elle se prête aussi bien à la détection de présence qu'à la mesure de distance, favorisant ainsi l'optimisation des systèmes industriels.

1. La photodiode SIP S6775 dévoile une grande surface photosensible de 5,5 x 4,8 mm, maximisant ainsi la capture de lumière pour une sensibilité accrue, essentielle dans les environnements à faible luminosité.
2. Dotée d'une sensibilité remarquable de 0,5 A/W à 850 nm, elle assure une détection précise des variations lumineuses, permettant des interventions rapides et efficaces dans les processus de contrôle automatisé.
3. Grâce à son temps de réponse extrêmement rapide de 10 ns, la photodiode permet de surveiller les changements de lumière soudains, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant une réponse instantanée.
4. En intégrant un boîtier SIP en plastique compact et robuste, cette photodiode facilite non seulement l'assemblage dans divers systèmes industriels, mais propose également une solution économique pour des applications de grande envergure.

La photodiode SIP S6775, avec sa grande surface photosensible et sa réponse rapide, représente une option fiable pour diverses applications industrielles. Ses qualités de sensibilité et de robustesse en font un choix stratégique pour toute entreprise souhaitant améliorer ses systèmes de détection lumineuse. N'attendez plus pour solliciter un devis et intégrer cette technologie avancée dans votre environnement professionnel.

Type de détecteur : Photodiode PIN au silicium Surface photosensible : 5,5 x 4,8 mm Sensibilité : 0,5 A/W (à 850 nm) Temps de réponse : 10 ns Longueur d'onde de crête : 850 nm Tension inverse maximale : 30 V Courant inverse : 10 nA Température de fonctionnement : -25 °C à +85 °C

Automobile Aéronautique Électronique Robotique Sécurité Automation

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