Photodiode SIP S3759

Laissez-vous séduire par la photodiode SIP S3759 de HAMAMATSU PHOTONICS France, une photodiode à haut degré de sensibilité dans le domaine infrarouge. Conçue pour offrir une performance inégalée dans la détection et la mesure de l'énergie infrarouge, cette photodiode "Si PIN" se distingue par leur fiabilité exemplaire et leur capacité à répondre à des exigences élevées en termes de rapidité et de surface active.

1. Le premier avantage notable de la photodiode SIP S3759 est sa haute sensibilité dans la zone infrarouge. Grâce à une sensibilité atteignant 0,38 A/W (? = 1,06 µm), cette photodiode garantit une détection ultra-précise de l'énergie infrarouge, rendant performante même dans des environnements exigeants.

2. Le second avantage qui mérite une mention spéciale est sa réponse à haute vitesse. Avec un temps de réponse de seulement 12,5 ns (VR = 100 V), la photodiode SIP S3759 dépasse les capacités de nombreux produits concurrents sur le marché, permettant aux utilisateurs de réaliser des opérations avec une rapidité exceptionnelle.

3. Un autre avantage de cette photodiode réside dans sa faible capacité. Affichant une capacité de seulement 10 pF (VR = 100 V), la photodiode SIP S3759 assure un usage plus efficace et plus durable, un atout de taille lorsque l'on travaille sur des projets sur le long terme.

4. Enfin, la photodiode SIP S3759 brille également par sa grande surface active. Avec un diamètre de 5 mm, cette photodiode offre une surface de détection importante, entraînant une détection de l'énergie infrarouge plus précise et plus fiable.

Avec sa sensibilité élevée, sa rapidité de réponse, sa faible capacité et sa grande surface active, la photodiode SIP S3759 de HAMAMATSU PHOTONICS France est incontestablement un choix judicieux pour les professionnels à la recherche de solutions efficaces et fiables pour la détection et la mesure de l'énergie infrarouge. Son paquet métallique TO-8 assure une haute fiabilité, et sa capacité à fonctionner dans un large éventail de températures (-40°C à +85°C) offre une flexibilité supplémentaire pour s'adapter à diverses conditions de travail. Ajoutez à cela une longueur d'onde de coupure de 1,1 µm, un courant d'obscurité de 1 nA (VR = -10 V) et une tension inverse maximale de 100 V, rapidement, la photodiode SIP S3759 s'appuie sur son expertise technique pour assurer un taux de satisfaction élevé pour tous ses utilisateurs.