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Expertise et innovation se rencontrent dans la Photodiode SIP S3883 produite par HAMAMATSU PHOTONICS France, un capteur à semiconducteur qui se distingue pour sa rapidité et sa sensibilité à la lumière. Cet appareil se présente comme un choix optimal pour les opérations exigeantes grâce à ses caractéristiques distinctives, que nous verrons en détail ci-dessous.
1. Une sensibilité exceptionnelle : La Photodiode SIP S3883 se distingue par sa grande surface photosensible d'un diamètre de 1.5 mm. Cette particularité lui permet de capter plus efficacement la lumière, augmentant ainsi le rapport signal/bruit pour une qualité de détection améliorée.
2. De la vitesse à l'horizon : Cette photodiode offre une réponse en fréquence de coupure impressionnante de 300 MHz (VR = 20 V), ce qui lui confère la rapidité nécessaire pour discerner les signaux lumineux à haute vitesse, faisant d'elle un investissement intéressant dans des applications nécessitant une réactivité supérieure.
3. Durabilité et performance garanties : La Photodiode SIP S3883 est aussi rassurante par sa fiabilité. Sa robustesse se trouve notamment dans son boîtier TO-5 en métal qui assure une protection contre les impacts et le blindage contre les interférences électromagnétiques. Un choix idéal pour augmenter la durée de vie et assurer une performance stable à long terme.
4. Une utilité variée pour de multiples applications : La polyvalence de ce capteur permet de l’intégrer dans une multitude d'applications exigeantes, notamment l'optique FSO (Fiber-Save Optics) et la détection de lumière pulsée à grande vitesse, ouvrant ainsi des opportunités d’utilisation diversifiées.
Côté technique, la Photodiode SIP S3883 possède un type de photodiode PIN, une réponse spectrale s'étendant de 400 nm à 1100 nm, un courant d'obscurité inférieur à 1 nA (VR = 20 V), une capacité de 2.5 pF (VR = 5 V), un temps de montée inférieur à 1 ns, une tension de polarisation inversée de 50 V, et une température de fonctionnement allant de -25 °C à +85 °C.
Ainsi, la Photodiode SIP S3883 de HAMAMATSU PHOTONICS France incarne une alliée de choix pour le monde industriel. Elle fournit une performance marquée par la rapidité, la sensibilité élevée, la fiabilité et la diversité d'applications, des atouts qui sauront apporter de la valeur ajoutée à vos projets.
Type de photodiode: PINSurface photosensible: 1.5 mm de diamètreRéponse spectrale: 400 nm à 1100 nmCourant d'obscurité: inférieur à1 nA (VR = 20 V)Capacité: 2.5 pF (VR = 5 V)Temps de montée: inférieur à1 nsTension de polarisation inverse: 50 VTempérature de fonctionnement: -25 °C à +85 °C