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Interféromètre pour la mesure de l'épaisseur des wafers | interferoMETER IMS5420-TH

Interferometres

“ L’interféromètre IMS5420-TH de Micro-Epsilon permet une mesure d’épaisseur sans contact, avec une résolution nanométrique et une fréquence jusqu’à 6 kHz. Il est idéal pour les wafers en silicium, même ”
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Le interféromètre IMS5420-TH de Micro-Epsilon est un interféromètre à lumière blanche de haute performance pour la mesure de l’épaisseur sans contact de wafers de silicium monocristallin. Le contrôleur dispose d’une diode superluminescente (SLED) à large bande avec une plage de longueur d’onde de 1100 nm. Cette diode permet de mesurer l'épaisseur de wafers Si non dopées, dopées et fortement dopées à l'aide d'un seul système de mesure et avec une stabilité de signal inférieure à 1 nm. Selon le domaine d'application, des capteurs à grand écartement de base et des capteurs avec dispositif de soufflage libre sont disponibles.

Mesure précise de l’épaisseur des wafers

Les interféromètres IMS5420 détectent avec précision l’épaisseur des wafers grâce à la transparence optique des wafers de silicium dans la plage de longueur d’onde de 1100 nm. Dans cette plage de longueur d’onde, les wafers de silicium aussi bien dopés que non dopés ont une transparence suffisante. Il est ainsi possible de mesurer des épaisseurs de wafer allant jusqu’à 1,05 mm. L’épaisseur mesurable de la lame d’air peut atteindre jusqu’à 4 mm.

Mesure d’épaisseur au nanomètre près de wafers non dopés, dopés et fortement dopés Multi-Peak : Mesure jusqu’à 5 couches d’une épaisseur de silicium de 0,05 à 1,05 mm Haute résolution selon l’axe z de 1 nm Fréquence de mesure jusqu’à 6 kHz pour des mesures rapides Ethernet / EtherCAT / RS422 / PROFINET / EtherNet / IP Paramétrage facile via l’interface Web
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Semiconducteurs Fabrication de wafers

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