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Photodiodes Black Silicon

“ Les photodiodes Black Silicon sont des photodiodes PIN en silicium nanostructuré offrant une très faible réflectivité et une absorbance extrêmement élevée de la lumière incidente ”

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Les photodiodes Black Silicon sont réalisées sur du silicium dont la surface a été modifiée par des techniques de nano‑structuration pour créer une couche dite de « silicium noir ». Cette structure piège le flux lumineux incident et réduit drastiquement la réflectivité, permettant d’atteindre une très forte efficacité de détection dans le visible et une sensibilité exceptionnelle dans l’ultraviolet. La documentation HTDS indique que ces photodiodes peuvent atteindre une efficacité quantique externe de 100% dans l’UV, tout en conservant une faible réflectance jusqu’à 1000 nm et pour des angles d’incidence allant jusqu’à 60°.

Caractéristiques

Photodiodes PIN en Black Silicon avec surface nanostructurée pour piégeage du flux lumineux. Sensibilité spectrale idéale sur une large plage, du UV au proche IR. Sensibilité accrue dans l’ultraviolet, efficacité quantique pouvant atteindre 100% dans l’UV. Technologie : photodiodes PIN Black Silicon nanostructurées. Plage spectrale : détection UV–visible–proche IR, avec très forte efficacité dans l’UV. Efficacité quantique : très élevée dans le visible ; EQE maintenue à haut niveau jusqu’à ~1000 nm.

Domaines d'application

Détection de rayonnements ionisants (alpha, bêta, radon…) et dosimétrie optique. Mesure de faibles flux lumineux en laboratoire, instrumentation scientifique et astrophysique. Capteurs UV pour surveillance environnementale, contrôle de procédés UV, sécurité. Détection de lumière ambiante à large angle dans les systèmes de vision, LIDAR ou optique embarquée.