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Photodiode à avalanche InGaAs PIN : G11193-03R

Capteurs photoélectriques

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Découvrez la photodiode à avalanche InGaAs PIN G11193-03R, un produit phare du fournisseur HAMAMATSU PHOTONICS France. Conçue spécialement pour répondre aux exigences de l'industrie, cette photodiode est caractérisée par une surface active de 0.3 mm de diamètre et est présentée en petit paquet SMD, parfait pour un montage en surface.

1. Grande performance pour un prix moindre : Faire des économies tout en garantissant une performance optimale est l'atout majeur de la photodiode à avalanche InGaAs PIN G11193-03R. En choisissant ce produit, vous bénéficiez d'un matériel de qualité au meilleur prix, parfaitement adapté pour les industries soucieuses de leur budget tout en recherchant une qualité de service irréprochable.

2. Faible bruit : Le confort de travail de vos employés est primordial. La photodiode à avalanche InGaAs PIN G11193-03R a été conçue avec une technologie minimisant le bruit lors de son fonctionnement. Elle assure ainsi un environnement de travail serein et favorise la concentration des opérateurs, améliorant ainsi leur productivité.

3. Faible intensité d'obscurité : HAMAMATSU PHOTONICS n'a pas oublié l'importance de la visibilité en milieu industriel. Pour cette raison, la photodiode à avalanche InGaAs PIN G11193-03R a été optimisée pour émettre une faible intensité d'obscurité, permettant une meilleure visibilité sur la zone de travail, garantissant ainsi un plus grand niveau de précision et de sécurité pour les opérateurs.

4. Petit paquet SMD pour montage en surface : La taille compte, surtout lorsqu'il s'agit d'optimiser l'espace de travail. La conception en petit paquet SMD de la photodiode à avalanche InGaAs PIN G11193-03R assure un gain de place considérable lors du montage. Ce choix de conception ciblé permet d'intégrer plus aisément cette photodiode dans des environnements industriels où l'espace est souvent une ressource précieuse.

Qu'il s'agisse d'un besoin en terme d'économie, de confort de travail, de visibilité ou d'optimisation de l'espace, la photodiode à avalanche InGaAs PIN G11193-03R de HAMAMATSU PHOTONICS France offre des solutions pertinentes. Un choix judicieux pour accompagner votre entreprise vers l'excellence industrielle tout en respectant votre budget.

Diamètre de la surface active : 0.3 mm Type : Photodiode à avalanche InGaAs PIN Paquet : Petit paquet SMD Montage : Surface Prix : Bas Niveau de bruit : Faible Intensité d'obscurité : Faible Référence : G11193-03R

Télécommunications Aérospatiale Énergie Médical Automobile Sécurité

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