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La mémoire SRAM 32K x 8 de Micross Components est un concentré de technologie alliant rapidité, énergie frugale et flexibilité d'emploi. Parfaitement adaptée aux multiples exigences des systèmes embarqués, des dispositifs périphériques et des mémoires tampons, elle conjugue des performances de haut vol à une facilité d'utilisation remarquable.
1. Un design éco-responsable : l'adoption de la technologie CMOS bimétallique permet à la mémoire SRAM 32K x 8 d'atteindre une faible consommation d'énergie. En outre, elle dispose d'un mode de veille économe qui préserve efficacement l'énergie lorsqu'elle n'est pas en service. Un choix technologique pertinent qui optimise son utilisation tout en respectant l'environnement.
2. Une vitesse d'accès surprenante : grâce à des temps d'accès s'échelonnant entre 12 et 100 ns, cette mémoire offre une rapidité exceptionnelle, garantissant une réactivité sans faille de votre système. Que vous recherchiez des performances de pointe pour un système embarqué ou une mémoire tampon rapide, la mémoire SRAM 32K x 8 répond à toutes vos attentes.
3. Une facilité d'extension : l'entrée CE et la sortie OE, incorporées à la conception de la mémoire SRAM 32K x 8, permettent une extension aiséede l'espace mémoire. Ainsi, vous aurez la liberté d'ajuster la taille de votre mémoire en fonction de vos besoins.
4. Une compatibilité optimale : l'ensemble d'entrées et de sorties de la mémoire SRAM 32K x 8 est compatible avec la logic TTL, sécurisant ainsi la connexion et la communication avec d'autres éléments du système.
En proposant une mémoire dotée de la technologie CMOS bimétallique, Micross Components fait le pari de la performance et de la polyvalence. Le format compact de son boîtier DIP 28 broches, sa capacité de 32 768 mots de 8 bits, couplée à une large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à +85 °C) en font un choix de prédilection pour les professionnels cherchant un produit répondant à un grand nombre d'applications industrielles. La mémoire SRAM 32K x 8 de Micross Components, est sans doute la solution de mémoire hautes performances la plus fiable pour un large éventail d'applications.
Capacité: 32K x 8Organisation: 32 768 mots de 8 bitsTechnologie: CMOS bimétalliqueTemps d'accès: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, 70 et 100 nsAlimentation: +5V (+10%)Consommation d'énergie: 150 mW (typique)Plage de températures de fonctionnement: -40 °C à +85 °CBoîtier: DIP 28 broches
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