“ Notre gamme de diodes se décline sur différentes puissances d’émission (simple ou multi-stack et/ou simple ou multi-cavité), à 905 nm, 1060 nm et 1550nm avec des boitiers SMD et TO hermétiques ”
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Nos diodes laser PGA et PGEW à 905 nm sont conçues pour surperformer dans des environnements difficiles. Développées par croissance épitaxiale sur un substrat GaAs, peut comporter jusqu’à 4 cavités. Cette conception à plusieurs cavités multiplie la puissance de sortie par le nombre d’épi-couche permettant d’atteindre des puissances optiques de 300W crête.
Les diodes laser PGA et PGEW présentent des zones d’émission de 75 µm à 225 µm, en épi-cavité simple (PGA/PGEW), double (DPGA/DPGEW), triple (TPGA/TPGEW) ou quadruple (QPGA/QPGEW). A chaque application sont boitiers avec six boitiers disponibles dont les habituels TO18 et TO56.
Les PGEW correspondent à des boitiers plastique T1 3/4 (Type TO) destinées aux applications grand volume.
L’espacement transversale des zones actives concentre davantage de puissance optique sur une plus petite surface ce qui facilite le couplage de la diode dans une fibre.
HTDS propose également les diodes laser pulsées SMD à 905 nm, constituées de matrices de quatre canaux en particulier pour les applications LIDAR. Suivant le modèle, les canaux peuvent être adressés soit simultanément pour du LIDAR flash ou individuellement pour les applications à temps de vol.
Disponibles en : 905 nm, 1060 nm et 1550 nmMulti-cavitésForte puissanceExcellente stabilité
TélémétrieLIDAROTDRIllumination IR
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