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Céramique non oxydée – Carbure de silicium (SiSiC/SSiC)

Céramiques techniques

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Le carbure de silicium (SiSiC/SSiC) de CeramTec GmbH se présente comme une céramique non oxydée exceptionnelle par sa légèreté et sa dureté. Fort de ses propriétés de haute conductivité thermique allant de 120 à 200 W/mK, il assure une excellente résistance à la corrosion et à l'usure. Ce matériau innovant s’intègre parfaitement dans divers secteurs industriels, tels que la technologie de l'étanchéité dynamique et l'industrie alimentaire.

1. Le carbure de silicium de CeramTec offre un degré élevé de dureté (HV10 >= 2200 GPa), garantissant une résistance accrue aux impacts dans les environnements industriels difficiles.
2. Grâce à une conductivité thermique élevée, allant de 120 à 200 W/mK, ce matériau assure une efficacité énergétique et une dissipation de la chaleur optimales dans des situations de températures élevées.
3. Sa résistance remarquable à l'érosion et à la corrosion, même en présence de températures extrêmes et de matériaux agressifs, allonge la durée de vie des équipements, ce qui le rend particulièrement économique.
4. Le faible coefficient de dilatation linéaire, associé à une excellente résistance au choc thermique, permet une performance fiable dans les applications mécaniques et de régulation sous fortes variations de température.

En résumé, le carbure de silicium (SiSiC/SSiC) propose une combinaison distinctive de légèreté, dureté et haute performance thermique pour les industries exigeantes. Ses caractéristiques telles que la faible densité et le module de Young élevé en font un choix privilégié pour des solutions industrielles durables et efficaces. Contactez dès maintenant CeramTec GmbH pour découvrir comment ce matériau peut répondre aux besoins spécifiques de votre entreprise.

Degré élevé de dureté: HV10 >= 2200 GPa Excellente résistance au choc thermique: ?T 1100 K Faible coefficient de dilatation linéaire: de 3,6 à 4,1x10-6/K sous 20 à 400 °C Faible densité: de 3,07 à 3,15 g/cm3 Haute conductivité thermique: de 120 à 200 W/mK Module de Young élevé: de 380 à 430 GPa Température d'exploitation maximale du SSiC sous gaz inerte: 1800 °C Résistant à la corrosion et à l'usure même sous hautes températures

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