Electronique

SK Hynix produit la première mémoire Dram de 16 Gbit en 16 nanomètres, avant Samsung

Ridha Loukil , , , ,

Publié le

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Le coréen SK Hynix parvient à miniaturiser encore la mémoire vive Dram. Il lance la production de la première puce de 16 Gbit au monde en gravure de 16 nanomètres. De quoi prendre de vitesse Samsung Electronics, numéro un mondial du marché.  

SK Hynix produit la première mémoire Dram de 16 Gbit en 16 nanomètres, avant Samsung
Mémoire Dram de SK Hynix en technologie de gravure 1z
© SK Hynix

SK Hynix réussit le premier à miniaturiser encore la mémoire vive Dram. Le fabricant coréen de semi-conducteurs, filiale du conglomérat SK, lance la production de sa puce de quatrième génération de stockage de données (DDR4) de 16 Gbit en technologie 1z, la deuxième miniaturisation du procédé de gravure 1x. Il reste discret sur la finesse de gravure précise utilisée. Mais selon l’analyse du cabinet TechInsights, il s’agit d’une gravure de 16 nanomètres. Une première mondiale.

La miniaturisation, un sacré défi

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