IBM et Samsung réinventent le transistor pour repousser les limites des puces
IBM et Samsung ont développé un nouveau transistor à structure verticale qui réduirait de 85 % la consommation d’énergie. De quoi prolonger la loi de Moore en repoussant les limites de progression des puces. Cette invention pourrait être industrialisée d'ici dix ans.
Après Intel, c’est au tour d’IBM et de Samsung Electronics de donner une piste pour prolonger la loi de Moore. Ils ont annoncé, le 14 décembre 2021, avoir conjointement développé un nouveau transistor à structure verticale. Un résultat qu’ils présentent comme une percée importante dans la conception de circuits intégrés numériques qui repousse les limites de miniaturisation au-delà de la nanofeuille, avec le potentiel de doubler les performances à consommation d’énergie équivalente ou de réduire la consommation d'énergie de 85 % à performances équivalentes par rapport au transistor le plus avancé actuellement en production. Il découle d’un travail collaboratif d’innovation mené au sein du complexe de nanotechnologies d'Albany, dans l'État de New York.
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