Western Digital défie Samsung en créant la première mémoire flash 3D à 96 couches

Alors que Samsung vient de mettre en production la première mémoire flash 3D à 64 couches de données, Western Digital dévoile une puce à 96 couches. De quoi offrir jusqu’à 1 térabit de capacité de stockage. Sa production en volume est programmée pour 2018.

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Western Digital défie Samsung en créant la première mémoire flash 3D à 96 couches
Mémoire flash 3D à 96 couches de Western Digital

La course à l’intégration 3D de mémoires flash NAND s’accélère. Alors que Samsung Electronics vient de mettre en production la première puce à 64 couches de données dans sa nouvelle usine à 13 milliards de dollars à Pyeongtaek, en Corée du Sud, Western Digital riposte en annonçant un composant à 96 couches. Sa puce 3D a été développée conjointement avec Toshiba, son partenaire dans le développement et la production de mémoires flash NAND. Elle devrait être proposée en échantillons au second semestre 2017 avant une mise en production de volume au courant de 2018 dans son usine commune avec Toshiba à Yokkaichi, au Japon.

72 couches chez SK Hynix

Les mémoires flash 3D sont construites à la verticale par empilage de couches de données comme autant d’étages dans un immeuble. Un mode d’intégration qui offre une alternative à la traditionnelle miniaturisation pour l’augmentation de la densité. Les produits les plus avancés, actuellement en production de volume chez Western Digital, Toshiba et SK Hynix superposent 48 couches, alors que Micron Technology et Intel se limitent à 32 étages.

Voilà pour ce qui en est de la production en volume. La situation est différente en développement. SK Hynix a réussi à créer une puce à 72 couches qu’il prévoit de mettre en production de volume au second semestre 2017. De quoi prendre l’avantage sur son rival et compatriote Samsung Electronics et devenir l’acteur qui monte le plus haut dans la construction 3D de mémoires flash NAND.

Aux limites de la construction 3D

En montant à 96 couches, Western Digital et Toshiba entendent reprendre à leur tour le flambeau et devenir les leaders de l’intégration 3D. Leur puce sera proposée d’abord pour une capacité de 256 gigabit, identique à celle de la puce à 64 couches de Samsung Electronics. Mais le projet est d’aller ensuite jusqu’à 1 térabit, considérée comme la limite théorique de ce mode de construction.

Samsung Electronics domine les mémoires flash NAND avec 36,4% du marché mondial en 2016 selon TrendForce, devant Toshiba (19,9%), Western Digital (16,7%), Micron Technology (10,9%) et SK Hynix (9,6%). Avec sa puce à 96 couches, Western Digital entend contester avec Toshiba le leadership du géant coréen de l’électronique. Du moins sur le plan technologique.

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