TSMC en tête de la course à la génération de puces électroniques en 7 nanomètres

Ridha Loukil , , , ,

Publié le

Alors que la production de puces électroniques en 10 nanomètres commence à peine, la bataille de la génération d’après en 7 nanomètres a commencé. Le géant taïwanais TSMC semble prendre la tête de la course. Au grand dam du coréen Samsung et même de l’américain Intel, jusqu’ici la référence absolue en technologies de production.

TSMC en tête de la course à la génération de puces électroniques en 7 nanomètres © TSMC

La bataille de la génération de puces électroniques en 7 nanomètres a bel et bien commencé. Elle oppose trois camps : le numéro un mondial des semiconducteurs Intel, le plus gros fondeur mondial de semiconducteurs TSMC et l’alliance de recherche réunissant IBM, Samsung et GlobalFoundries. A la conférence IEDM (International Electron Devices Meeting), qui se déroule du 3 au 7 décembre 2016 à San Francisco, aux Etats-Unis, chaque camp tentera de défendre son leadership dans le développement de cette technologie. Le journal EETimes livre en avant première les tenants et aboutissants techniques de cette bataille.

Intel sur la touche

Aujourd’hui, les circuits intégrés les plus avancés bénéficient d’une gravure de 14 nanomètres (chez Intel, Samsung et GlobalFoundries) et 16 nanomètres chez TSMC. Samsung a donné le coup d’envoi de la production de la génération en 10 nanomètres avant TSMC qui devrait en faire de même avant la fin de 2016. La génération d’après en 7 nanomètres est attendue dès le début de 2018.

La bataille pour le leadership semble se jouer entre deux acteurs asiatiques : Samsung et TSMC. Jusqu’ici roi des technologies de production, Intel reste cette fois-ci à la traine. Il lancera sa génération en 10 nanomètres au plus tôt au second semestre 2017 et celle en 7 nanomètres en 2019, voire 2020. Il a beau afficher des meilleures performances en densité, vitesse ou consommation. Il aura du mal à tenir la course avec ses deux plus gros concurrents.

Coup de communication de Samsung

A première vue, Samsung semble prendre l’avantage en étant le premier à démarrer la production de circuits en 10 nanomètres. Dans un article publié sur le blog boursier The Motley Fool, l’analyste Ashraf Eassa, bon connaisseur des technologies des semiconducteurs, relativise cette avance. "Samsung affirme que son processus de 10 nanomètres offre jusqu'à 30% d’augmentation de la compacité, explique-t-il. C’est beaucoup moins que le gain typique de 50% qu'une nouvelle génération technologique est censée apporter. Je soupçonne Samsung d’avoir sacrifié le gain de performance afin de frapper un grand coup de communication en se présentant comme le premier à lancer la production de cette technologie."

TSMC parait mieux placé avec une réduction de l’encombrement par un facteur 0,52 pour sa technologie de 10 nanomètres par rapport à son procédé actuel de 16 nanomètres. C’est peut-être l’une des raisons qui ont poussé Apple à lui confier l’exclusivité de la fabrication du processeur A10X, qui sera au cœur de la prochaine génération de tablettes iPad, et du futur A11, qui motorisera le prochain iPhone 7S prévu à l’automne 2017. Le fondeur taïwanais promet de lancer la production de sa technologie de 7 nanomètre au début 2018, avec un gain de densité de 63% par rapport à sa technologie de 10 nanomètres.

Victoire définitive de TSMC sur Samsung

Pour Ashraf Eassa, il n’y a pas de doute : si on tient compte des gains de performances, consommation et miniaturisation, TSMC est bel et bien devant Samsung, et devrait garder définitivement cette avance. Voilà qui risque de contrarier les ambitions du géant coréen dans les services de fonderie de semiconducteurs. Selon IC Insights, Samsung peine à dépasser les 3 milliards de dollars de chiffre d'affaires dans cette activité, alors que son concurrent taïwanais se prépare à fleurter avec les 29 milliards de dollars en 2016.

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