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Tsinghua Unigroup dévoile la première mémoire flash 3D chinoise

Ridha Loukil , , , ,

Publié le

Le chinois Yangtze River Storage Technology, filiale de Tsinghua Unigroup, sort les premiers échantillons de sa mémoire flash 3D. Elle superpose 32 couches d’information pour une capacité de 32 gigaoctet. Sa production de masse devrait débuter au second trimestre 2018.

Tsinghua Unigroup dévoile la première mémoire flash 3D chinoise
Zhao Weiguo, PDG de Tsinghua Unigroup, présentant une galette de sa mémoire flash 3D
© Tsinghua Unigroup

La longue marche de la Chine vers les puces mémoires se concrétise enfin. Yangtze River Storage Technology, filiale de Tsinghua Unigroup, commence le test de sa mémoire flash 3D NAND, la première à être développée et fabriquée dans l’Empire du milieu. Elle a été présentée par Zhao Weiguo, PDG de Tsinghua Unigroup, au showroom du groupe à Chengdu, le 6 juin 2017, en présence de nombreux officiels, dont Fan Ruiping, secrétaire du comité central du parti communiste de Chengdu.

Technologie à la traine

La puce superpose 32 couches d’information pour offrir une capacité de stockage de 32 gigaoctet. La technologie a été développée par XMC, une société chinoise devenue filiale à 100% de Tsinghua Unigroup en juillet 2016, en partenariat avec Spansion, spécialiste américain des mémoires flash NOR racheté en mars 2015 par son compatriote Cypress Semiconductor. La production de volume devrait démarrer au second semestre 2018 dans l’usine de Yangtze River Storage Technology en construction à Wuhan pour un investissement de 24 milliards de dollars. De 100 000 tranches de 300 mm par mois au départ, la capacité de production devrait grimper à 300 000 tranches par mois à la fin de 2020.

Chef de file du plan chinois de développement dans les circuits intégrés, Tsinghua Unigroup est en passe de réussir son pari de créer une base indigène de développement et production de mémoires. Sa technologie parait à ce stade à la traine. Samsung Electronics, Toshiba et Western Digital se préparent à monter à 64 couches au second semestre 2017, et SK Hynix à 72 couches. Ils sont tous à une finesse de gravure autour de 15 nanomètres, là ou Yangtze River Storage Technology compte démarrer avec une gravure de 30 nanomètres.

Confiance des chinois à ratrapper leur retard

Mais son patron Charles Kau, ancien PDG d’Inotera Memories, une coentreprise entre le taiwanais Nanya Technology et l’américain Micron Technology, mise sur le ralentissement des progrès dans les mémoires flash 3D pour rattraper son retard sur la concurrence américaine, coréenne et japonaise.

Le marché des mémoires flash NAND, estimé par TrendForce à 38,9 milliards de dollars en 2016, est partagé aujourd’hui par six acteurs : les coréens Samsung Electronics et SK Hynix, les américains Intel, Micron Technology et Western Digital, et le japonais Toshiba. Un équilibre qui risque d'être bouleversé par l'irruption de Yangtze River Storage Technology... au grand dam de Samsung Electronics qui domine à 36,4% le marché en 2016 selon TrendForce.

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