L’offensive chinoise dans les mémoires à semiconducteurs est dans les starting-blocks. Selon le cabinet TrendForce, trois fabricants locaux s’apprêtent à débuter la fabrication pilote au second semestre 2018 pour un passage à la production de masse au premier semestre 2019 : Innotron Memory, JHICC et YMTC.
Innotron Memory, coentreprise entre Heifei RuiLi IC et GigaDevice, a choisi de se focaliser sur les mémoires vives Dram. La construction de la première phase de son usine à Heifei est achevée en janvier 2018. Il a commencé à l’équiper avec le but de démarrer la production pilote de mémoires Dram de 8 Gbit au second semestre 2018 avant un passage en production de masse en 2019 avec une capacité mensuelle de 20 000 plaquettes de 300 mm.
Des obstacles de propriété intellectuelle en vue
Cet acteur semble prêt à se frotter aux fournisseurs déjà établis sur le marché en faisant son entrée avec des puces Dram à double débit de quatrième génération (DDR4). Mais[…]
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