Toshiba Memory Corp ouvre son usine de mémoires flash 3D de 4,5 milliards de dollars
Avec son partenaire Western Digital, Toshiba Memory Corp met en service sa nouvelle usine de mémoires flash 3D au Japon. Représentant un investissement de 4,5 milliards de dollars, elle est dédiée à la production de puces à 96 couches de stockage de données. Mais son ouverture intervient à un moment compliqué sur le marché.
Toshiba Memory Corp et Western Digital ont inauguré Fab 6, leur nouvelle usine commune de mémoires flash 3D sur le site industriel de Yokkaichi, au Japon. La cérémonie s’est déroulée, le 19 septembre 2018, en présence de Yasuo Naruke, PDG de Toshiba Memory Corp, et Steve Milligan, directeur général de Western Digital.
Réconciliation de Toshiba et Western Digital
La construction de cette cinquième usine commune aux deux entreprises a démarré en février 2017. L’investissement consenti jusqu’ici
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se monte à près de 500 milliards de yens, l’équivalent de 4,5 milliards de dollars. Elle est présentée comme l’usine de mémoires flash 3D la plus avancée au monde. Elle a débuté la production ce mois-ci de la nouvelle génération de puce flash à 96 couches de stockage de données, alors que Samsung Electronics se limite encore à 64 couches et SK Hynix à 72 couches.
L’ouverture de cette usine scelle la réconciliation de Toshiba, actionnaire à hauteur de 40,2% de Toshiba Memory Corp, et Western Digital après des mois de conflit au sujet de la vente des mémoires flash NAND du groupe japonais, vente finalisée en juin 2018 au profit d’un consortium mené par le fonds d’investissement américain Bain Capital. Les deux groupes sont alliés depuis 2000 pour faire contrepoids au géant coréen Samsung Electronics qui domine à 37% le marché mondial selon le cabinet TrendForce, contre 34% pour le duo Toshiba Memory Corp - Western Digital.
L’usine Fab6 démarre avec une capacité installée de 50 000 tranches de 300 mm par mois. Une capacité qui devrait être doublée en 2019 de façon à augmenter de 20% la capacité totale de production de Toshiba Memory Corp et Western Digital. Mais sa mise en service intervient alors que le cycle haussier du marché s’achève. Elle pourrait contribuer à la création d’une situation de surcapacité de production et de baisse des prix qui guette le marché. D’autant que des acteurs chinois comme Yangtze Memory Technology Corp s’apprêtent à faire leur entrée sur le marché en 2019.²
Les entrants chinois en embuscade
Toshiba Memory Corp et Western Digital se montrent confiants. Ils voient la demande de mémoires flash 3D continuer à croitre dans les serveurs, les datacenters et les smartphones, et misent sur leur avance technologique pour se démarquer la concurrence potentielle chinoise. Un pari difficile à tenir sur long terme en raison des ressources considérables mobilisées par les entrants chinois grâce au soutien de Pékin. Rien que dans son usine à Wuhan, Yangtze Memory Technology Corp investit 24 milliards de dollars en 4 ans (2017-2020).
Selon le cabinet IC Insights, le marché mondial des mémoires flash NAND devrait bondir de 18% en 2018 à 62,6 milliards de dollars, contre 53 milliards de dollars en 2017 et 35 milliards de dollars en 2016.
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