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STMicro séduit Samsung

Ridha Loukil , ,

Publié le

STMicro séduit Samsung
La technologie française s’avère intéressante en termes de coût et de consommation.

Les entreprises citées

En partenariat avec Industrie Explorer

Un beau succès pour STMicroelectronics. Samsung va utiliser sa technologie pour fabriquer des circuits intégrés en 28 nanomètres sur des plaques de silicium sur isolant de nouvelle génération (FD-SOI pour Fully depleted silicon on insulator). "C’est une étape décisive dans l’ouverture de cette technologie pour en faire un standard sur le marché", se félicite Jean-Marc Chery, le directeur général du groupe franco-italien. Développée conjointement par STMicroelectronics, Soitec et le CEA-Leti, cette technologie française se présente comme une alternative à la technologie FinFET de transistor 3 D promue par l’américain Intel pour perpétuer la loi de Moore. Jusqu’ici, le groupe dirigé par Carlo Bozotti était le seul fabricant de semi-conducteurs à la mettre en œuvre. Le renfort de Samsung le sort de cet isolement. D’autant que le géant coréen misait jusqu’ici sur la technologie FinFET. "S’il s’est rallié aussi à notre technologie, c’est qu’il la considère plus intéressante en termes de coût et de consommation pour certaines puces, comme celles destinées aux objets connectés", explique Jean-Marc Chery. Selon le cabinet IBS, la technologie française devrait représenter 25% des circuits intégrés gravés en 28 nm en 2017.

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