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Soitec et le chinois Silan développent de nouveaux substrats pour augmenter l’efficacité des LED

En combinant une technologie de croissance épitaxique originale avec des substrats en saphir, il devient possible de développer des pseudo-substrats en nitrure de gallium destinés à la fabrication à moindre coût de LED plus performantes.

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Soitec et le chinois Silan développent de nouveaux substrats pour augmenter l’efficacité des LED
Mixer les technologies pour obtenir plus de performances

Le spécialiste français de la production de matériaux semi-conducteurs d’extrêmes performances pour l’électronique et l’énergie, Soitec, vient de signer un accord avec la société chinoise Chongqing Silian Optoelectronics Science & Technology (Silian), fournisseur reconnu de matériaux, produits et systèmes destinés à l’industrie de l’éclairage.

Cet accord porte sur le développement conjoint de pseudo-substrats en nitrure de gallium (GaN) utilisant la HVPE ou méthode d’épitaxie en phase vapeur aux hydrures (Hydride Vapor Phase Epitaxy). Les pseudo-substrats de GaN ainsi obtenus permettent de fabriquer des diodes électroluminescentes (LED) performantes en réalisant des économies importantes.

Cet accord permettra de valider les concepts de fabrication et la commercialisation de ces pseudo-substrats en nitrure de gallium utilisant les substrats de saphir de Silian et la technologie HVPE de Soitec. Les deux partenaires envisagent d’échantillonner les premiers pseudo-substrats en GaN cette année.

Réduire les coûts

« Notre stratégie était de profiter des caractéristiques des équipements d’épitaxie utilisés couramment en production dans l’industrie des semi-conducteurs à partir de silicium et d’y ajouter notre système original d’injection de la source de gallium pour créer un équipement HVPE de haute productivité. Nous avons ensuite développé avec succès des procédés de croissance cristalline extrêmement rapide qui permettent de réaliser ces pseudo-substrats en nitrure de gallium de façon nettement moins onéreuse qu’avec la technique d’épitaxie en phase vapeur utilisant des organométalliques beaucoup plus couteux (MOVPE) », explique Chantal Arena, Directrice générale de Soitec Phoenix Labs, où a été développé la technologie HVPE.

« Cette évolution de la technologie HVPE inaugure un modèle économique révolutionnaire grâce auquel les fabricants de diodes LED pourront libérer jusqu’à 60 % de leur capacité MOVPE. Les fabricants de diodes LED peuvent à présent se concentrer sur l’amélioration des couches les plus délicates, qui constituent la partie électroluminescente des diodes », estime quant à lui André-Jacques Auberton-Hervé, Président-Directeur général de Soitec.

« Outre cette opportunité commerciale, nous explorons la possibilité d’élargir notre coopération avec Silian dans le domaine de l’éclairage par LED, en utilisant l’expertise en croissance épitaxiale accumulée par Soitec Phoenix Labs, notre filiale basée en Arizona ».

Jean-François Prevéraud

Pour en savoir plus : http://www.soitec.com& http://www.silianopto.com

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