SK Hynix sur les traces de Samsung et Toshiba Memory avec une mémoire flash 3D à 96 couches

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Dans les mémoires flash NAND 3D, SK Hynix continue sa course-poursuite des deux leaders du marché, Samsung Electronics et Toshiba Memory Corp. Le fabricant coréen de mémoires à semi-conducteurs annonce avoir développé une puce flash NAND empilant 96 couches de stockage de données. Elle offre une capacité de 512 gigabits. Sa production de masse devrait débuter cette année dans la nouvelle usine M15 inaugurée en octobre 2018 à Cheongju, en Corée du Sud, après un investissement de 15 trillions de wons, l’équivalent de 13,5 milliards de dollars.

Réduction de la taille de 30%

SK Hynix rattrape ainsi Samsung Electronics et Toshiba Memory Corp, qui ont déjà mis en production de masse leurs puces à 96 couches respectivement en juillet et septembre 2018. Mais il se distingue de ses deux plus grands concurrents par une conception entièrement nouvelle qu’il présente comme une première mondiale. Il va jusqu’à baptiser sa technologie de mémoire flash NAND 4D.
Par rapport à sa puce flash NAND de 512 gigabits à 72 couches actuellement en production à l’usine M15, cette innovation offre l’avantage de réduire de 30% la taille et d’augmenter de 49% la production de bits d’information par tranche de silicium. Elle offre également l’avantage de booster la vitesse de 30% en écriture et de 25% en lecture de données.

Les mémoires flash NAND 3D sont construites à la verticale en superposant, à l’instar d’un immeuble, des étages de stockage de données pour augmenter la densité sans passer par la miniaturisation. Samsung Electronics a été le pionnier de ce modèle d’intégration avec le lancement de la production de masse de ses premières mémoires flash NAND 3D en 2013. SK Hynix a rejoint la course en avril 2016 avec une puce à 36 couches. Depuis, il met les bouchée doubles pour rattraper son retard sur les deux leaders du marché.

Quatrième fabricant mondial

Selon TrendForce, SK Hynix pointe à la cinquième place mondiale dans les mémoires flash NAND avec 10,6% du marché au deuxième trimestre 2018, derrière Samsung Electronics (36,4%), Toshiba Memory Corp (19,3%), Western Digital (14,3%) et Micron Technology (11,9%).