Dans les mémoires flash NAND 3D, SK Hynix continue sa course-poursuite des deux leaders du marché, Samsung Electronics et Toshiba Memory Corp. Le fabricant coréen de mémoires à semi-conducteurs annonce avoir développé une puce flash NAND empilant 96 couches de stockage de données. Elle offre une capacité de 512 gigabits. Sa production de masse devrait débuter cette année dans la nouvelle usine M15 inaugurée en octobre 2018 à Cheongju, en Corée du Sud, après un investissement de 15 trillions de wons, l’équivalent de 13,5 milliards de dollars.
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