Electronique

SK Hynix met en production la première mémoire flash 3D à 72 couches

Ridha Loukil , , , ,

Publié le

Le fabricant coréen de mémoires à semiconducteurs SK Hynix met en production de volume la première puce flash NAND empilant 72 couches de stockage de données. De quoi devancer son compatriote et rival Samsung Electronics, qui se limite, lui, à 64 couches.

SK Hynix met en production la première mémoire flash 3D à 72 couches
Mémoires flash 3D à 72 couches de SK Hynix
© SK Hynix

Dans la course aux mémoires flash NAN 3D, SK Hynix prend une sacrée avance. Le fabricant coréen de mémoires à semiconducteurs met en production de volume dans son usine M12 à Cheongju, en Corée du Sud, la première puce flash NAND du marché empilant 72 couches de stockage de données. Elle offre une capacité de 256 gigabits.

SK Hynix efface son retard

Les mémoires flash NAND 3D sont construites à la verticale par l’empilage d’autant de couches de stockage de données que d’étages dans un immeuble. Ce mode de construction offre une alternative à la miniaturisation électronique pour l’augmentation de la densité.

La puce flash NAND 3D la plus avancée en production appartenait jusqu’ici à Samsung Electronics. Elle empile 64 couches de stockage de données pour une capacité de 256 gigabits. Sa production de volume a démarré en juin 2017 dans une nouvelle usine à 13 milliards de dollars à Pyeongtaek, en Corée du Sud. En montant à 72 couches, SK Hynix prend de vitesse son compatriote et rival qui domine allègrement le marché. Un sacré résultat pour un acteur qui était, il y a seulement un an, en retard.

Grand travail d'amélioration des rendements de production

Alors que Samsung Electronics a commencé la construction de mémoires flash NAND 3D en 2013, SK Hynix n’est entré dans la course qu’en avril 2016. Après avoir commencé par des puces à 36 couches, il est passé en novembre 2016 à 48 couches, rejoignant ainsi les trois leaders du marché : Samsung Electronics, Toshiba et Western Digital. Avec sa puce à 72 couches, il prend la tête de la course. Il a mis seulement trois mois pour passer du prototype à la production en volume, alors que Samsung Electronics a mis 10 mois pour le faire pour sa puce à 64 couches. Il a déployé un grand effort industriel pour atteindre en si peu de temps le même rendement de production que son rival coréen.

Selon Nomura, les mémoires flash NAND devraient représenter un marché de 53 milliards de dollars en 2017, un bond de 64% par rapport à 2016. SK Hynix en serait le quatrième fournisseur mondial avec une part de 15% du gâteau, derrière Samsung Electronics (39%), Toshiba (17%) et Western Digital (15%). Mais faute de taille critique suffisante, cette activité, qui représentait 25% de son chiffre d’affaires en 2016, reste déficitaire.

Candidat au rachat des mémoires flash de Toshiba

C’est pour sortir de cette situation que SK Hynix participe au consortium mené par le fonds nippon INCJ et la banque DBJ pour le rachat des mémoires flash NAND de Toshiba. Avec l'espoir d'accéder à certaines technologies du groupe japonais, inventeur en 1989 de la mémoire flash NAND, et dégager des synergies industrielles pour mieux rivaliser avec Samsung Electronics.

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