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Samsung réaffirme son engagement envers la technologie française de puces FD-SOI

Ridha Loukil , , , ,

Publié le

Après le fondeur américain de semiconducteurs GlobalFoundries, c’est au tour de Samsung de réaffirmer son soutien à la technologie française de puces FD-SOI. Le géant coréen de l’électronique, qui la met en œuvre aujourd’hui en gravure de 28 nanomètres, se prépare à l’étendre à 18 nanomètres en 2019.

Samsung réaffirme son engagement envers la technologie française de puces FD-SOI © Samsung

A l’occasion de son évènement dédié à son activité de fonderie de semiconducteurs, qui s’est déroulé à New York, le 24 mai 2017, Samsung Electronics a présenté sa nouvelle feuille de route technologique pour ses services de fabrication de puces en sous-traitance. L’occasion pour le géant coréen de l’électronique de réaffirmer son engagement envers la technologie française FD-SOI (Fully depleted silicon on insulator).

Technologie née dans l'écosystème de Grenoble

Développée dans l’écosystème de Grenoble par le Leti, le laboratoire d’électronique du CEA, avec notamment Soitec et STMicroelectronics, cette technologie consiste à construire la puce, non pas sur un substrat de silicium massif, mais sur un sandwich comprenant une fine couche d’isolant. A la clé, la réduction des courants de fuite, et donc de la consommation, et l’amélioration des performances. Cette technologie est présentée comme une alternative économique et sobre dans les applications de l’Internet des objets à la technologie FinFET de transistor 3D, développée par Intel et utilisée pour tous les processeurs au cœur des smartphones, PC ou serveurs.

Samsung Electronics la met en œuvre selon un procédé de fabrication de 28 nanomètres licencié auprès de STMicroelectronics. Il prévoit son extension progressive à des fonctions radiofréquences et de mémoire embarquée non volatile magnétique (Mram). "La technologie FD-SOI permet de combiner sur la même puce des fonctions de traitement numérique et des éléments radiofréquences, mémoires et analogiques, explique à L’Usine Nouvelle Marie-Noëlle Semeria, directrice du Leti. C’est son gros avantage sur la technologie FinFET qui se limite, elle, à des fonctions de traitement numérique. Cette possibilité de combiner des fonctions numérique, radiofréquences, mémoires et analogiques trouve tout son intérêt dans les applications de l’Internet des objets."

Course à la miniaturisation avec GlobalFoundries

Le groupe coréen n’entend pas en rester là. Il prévoit la miniaturisation de la technologie avec la mise en production  en 2019 d’une version de 18 nanomètres. De quoi rejoindre dans la course le fondeur américain de semiconducteurs GlobalFoundries, qui devrait commencer cette année la fabrication en volume, à Dresde en Allemagne, d’une technologie FD-SOI de 22 nanomètres, avant  sa miniaturisation à 12 nanomètres en 2019.

Pour l’isérois Soitec, principal fournisseur mondial de plaques FD-SOI, l’engagement de Samsung Electronics constitue un nouveau coup de pouce prometteur.  La technologie FD-SOI devrait être mise également en production en Chine, dans la future usine de GlobalFoundries à Chengdu, et dans celle du fondeur chinois HLMC à Shanghaï. Le fondeur américain a décidé d’investir plus de 100 millions de dollars dans le développement d’un écosystème à Chengdu autour de sa technologie FD-SOI de 22 nanomètres. Parmi les partenaires impliqués figurent  AMD, MediaTek, Synopsys, Cadence et Shanghai Fudan Microelectronics Group.

Soutien de 2 des 4 plus gros fondeurs de semiconducteurs au monde

Selon IHS Markit, Samsung Electronics se situe à la quatrième place mondiale dans les services de fonderie de semiconducteurs avec un chiffre d’affaires de 4,5 milliards de dollars en 2016, derrière le taiwanais TSMC (29,5 milliards de dollars), l’américain GlobalFoundries (5,5 milliards de dollars) et le taiwanais UMC (4,6 milliards de dollars). La technologie FD-SOI bénéficie donc du soutien à moyen terme de deux des quatre plus gros fondeurs de semiconducteurs au monde.

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