Samsung produit la première mémoire flash embarquée de 512 gigaoctet au monde

Le géant coréen de l’électronique Samsung Electronics met en production la première mémoire flash embarquée de 512 gigaoctet au monde. Elle double la capacité par rapport aux produits disponibles jusqu’ici.

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Samsung produit la première mémoire flash embarquée de 512 gigaoctet au monde
Boitier à mémoire flash embarquée de 512 Go de Samsung

Samsung Electronics continue à mener la course en tête dans les mémoires flash NAND. Le géant coréen de l’électronique lance la production de masse d’une puce de 512 gigaoctet, la première au monde de cette capacité destinée à s’embarquer dans des terminaux comme les tablettes ou les smartphones haut de gamme.

Puces flash 3D à 64 couches d'information

Les mémoires flash NAND embarquées, disponibles jusqu’ici, se limitaient à 256 gigaoctet. Samsung Electronics a réussi à en doubler la capacité en passant à des puces flash NAND 3D à 64 couches d’information, contre 48 couches auparavant.

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La nouvelle mémoire flash du groupe coréen est construite par empilage de huit puces flash NAND 3D à 64 couches et du circuit de contrôle. Elle tient dans un boitier de la même surface que celui de la génération précédente de mémoire embarquée flash de 256 gigaoctet.

Un marché dominé par Samsung

Selon le cabinet TrendForce, Samsung Electronics domine le marché mondial des mémoires flash NAND avec une part de 37,2% au troisième trimestre 2017, loin devant Toshiba (18,1%), Western Digital (17,7%), Micron Technology (12,2%), SK Hynix (9,9%) et Intel (5,9%).

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