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Samsung met le cap sur la génération de puces électroniques en 3 nanomètres

Ridha Loukil , , ,

Publié le

Alors qu’il se prépare à mettre en production la génération de puces en 7 nanomètres, le géant coréen de l’électronique Samsung Electronics prépare d’ores et déjà celle en 3 nanomètres. Une génération qui pourrait entrer en production en 2021.

Samsung met le cap sur la génération de puces électroniques en 3 nanomètres
Usine de fabrication de puces électroniques de Samsung Electronics en Corée du Sud
© Samsung

Samsung Electronics maintient sa cadence de progression technologique dans la production de puces électroniques. A l’occasion de Samsung Foundry Forum, organisé à Santa Clara, en Californie, le 22 mai 2018, le géant coréen de l’électronique a mis à jour sa feuille de route technologique. Pour la première fois, il dévoile travailler d’ores et déjà sur la génération de puces en 3 nanomètres, considérée comme proche des limites de la loi de Moore.

Changement de technologie de lithographie

Aujourd’hui, la génération de puces la plus avancée en production chez Samsung Electronics utilise une technologie en 10 nanomètres, et le groupe coréen s’apprête à mettre en production au second semestre 2018 la génération d’après en 7 nanomètres. Une technologie qui va être mise en oeuvre pour la fabrication du processeur mobile maison Exynos 9820 et la puce SnapDragon 855 de Qualcomm.

Samsung Electronics profitera de l’occasion pour changer de technologie de lithographie en passant d’une lithographie à rayons d'une longueur d'onde de 193 nanomètres, à une lithographie aux UV extrêmes à 10 nanomètres. Une technologie qui offre l’avantage de réduire le nombre d’étapes de fabrication, d’améliorer la fiabilité et de booster le rendement.

Samsung Electronics ne fait que suivre le fondeur taiwanais de semi-conducteurs TSMC qui vient de lancer la production en 7 nanomètres du processeur d’Apple de la prochaine génération d’iPhone. Mais le groupe coréen devance l’américain Intel, référence absolue en technologies de production, qui attend toujours de lancer sa technologie de 10 nanomètre en 2019. Il sera le premier fabricant de puces électroniques à passer à la lithographie aux UV extrêmes.

Passage à une autre structure de transistor

Numéro un mondial des semi-conducteurs en 2017, Samsung Electronics prévoit un calendrier serré d’évolution de ses technologies de production : 5 nanomètres en 2019, 4 nanomètres en 2020 et 3 nanomètres en 2021. Depuis la génération en 14 nanomètres, le groupe coréen (comme TSMC et GlobalFoundries) s’appuie sur la technologie FinFET de transistor 3D développée pour la première fois par Intel en 2011. La génération en 3 nanomètres marquera une rupture. Elle mettra en œuvre une nouvelle technologie baptisée GAA de transistor à nanofeuille. Ce changement de structure de transistor s’impose pour contenir l’augmentation des courants de fuites, l’un des effets pervers de la miniaturisation.

Jusqu’ici, Intel, qui dominait l’industrie des semi-conducteurs avant d’être détrôné par Samsung Electronics en 2017, était en tête de la course de la loi Moore. Il est en passe de perdre son leadership technologique au profit de Samsung Electronics et TSMC.

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