Samsung met en production sa mémoire magnétique avec une technologie française de puces

Le fondeur coréen de semi-conducteurs Samsung Foundry lance la production de sa mémoire magnétique embarquée Mram. Et pour le faire, il a choisi de reposer sur la technologie française de puces FD-SOI de 28 nanomètres licenciée auprès de STMicroelectronics.

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Samsung met en production sa mémoire magnétique avec une technologie française de puces
Structure de la mémoire vive magnétique Mram de Samsung

Samsung Foundry s’engouffre dans la course vers la mémoire universelle du futur. Le fondeur coréen de semi-conducteurs, quatrième dans le monde derrière le taïwanais TSMC, l’américain GlabalFoundries et le taïwanais UMC, lance la production en série de sa première mémoire vive magnétique (Mram) pour l’embarqué. S’il reste discret sur les capacités offertes aujourd’hui, il promet d’atteindre 1 Gbit dans un an.

Candidate à la mémoire universelle du futur

" Nous sommes très fiers de cette réussite qui consiste à offrir une technologie de mémoire non volatile embarquée (mémoire qui conserve les données sans alimentation d'électricité, NDLR) après avoir surmonté les défis complexes liés aux nouveaux matériaux, déclare dans le communiqué Ryan Lee, vice-président du marketing de Samsung Foundry. En intégrant cette mémoire Mram aux technologies logiques éprouvées existantes, Samsung Foundry continue d’élargir son portefeuille de technologies de mémoires non volatiles afin de fournir des avantages concurrentiels distincts et une excellente capacité de fabrication de puces aux clients. "

La mémoire Mram fait partie des trois technologies aspirant au rôle de mémoire universelle du futur capable de remplacer tous les types de mémoires actuelles, aux côtés de la mémoire à changement de phase PCM et de la mémoire résistive (ReRam). Elle se destine tout particulièrement aux systèmes embarqués notamment au sein de microcontrôleurs. Comme la mémoire flash actuelle, elle est non volatile, conservant ses informations sans courant. Mais selon Samsung Foundry, elle serait 1000 fois plus rapide en accès, présenterait une durabilité deux fois plus importante et offrirait un grand potentiel d’extension de la capacité de stockage. Aujourd’hui, l’américain Everspin Technologies, créé en 2008 par essaimage de Freescale, en est le leader mondial.

Selon le cabinet Yole Développement, ces nouvelles technologies de mémoires non volatiles sont en train de prendre enfin leur essor, avec un marché mondial, estimé à 280 millions de dollars en 2018, mais qui devrait décoller pour dépasser 1 milliard de dollars en 2019 et atteindre 7,2 milliards de dollars en 2023. Outre Everspin Technologies, la course met en compétition aussi Intel, Micron Technology ou encore Crossbar.

Technologie issue de l'écosystème de Grenoble

Pour se différencier sur le marché, Samsung Foundry a choisi de fabriquer sa mémoire Mram embarquée en FD-SOI de 28 nanomètres, une technologie française de puces développée dans l’écosystème grenoblois de l’électronique et licenciée en 2014 auprès de STMicroelectronics.

Selon cette technologie, la puce est réalisée, non pas sur un substrat de silicium massif traditionnel, mais sur un sandwich de silicium sur isolant de dernière génération fabriqué par l’isérois Soitec. Sa mise en œuvre en gravure de 28 nanomètres a été élaborée par STMicroelectronics sur son site de Crolles, près de Grenoble, en collaboration avec Soitec et le CEA-Leti.

Cette technologie offre l’avantage d’optimiser le fonctionnement des transistors et de réduire les courants de fuites, et donc la consommation de courant. Un atout de taille dans les produits connectés portables comme les objets portés sur soi et appareils fonctionnant sur batterie.

La technologie est mise en production dans l’usine de Samsung Foundry à Giheung en Corée du Sud.

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