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Samsung met en production sa mémoire magnétique avec une technologie française de puces

Ridha Loukil , , , ,

Publié le

Bonne nouvelle Le fondeur coréen de semi-conducteurs Samsung Foundry lance la production de sa mémoire magnétique embarquée Mram. Et pour le faire, il a choisi de reposer sur la technologie française de puces FD-SOI de 28 nanomètres licenciée auprès de STMicroelectronics.

Samsung met en production sa mémoire magnétique avec une technologie française de puces
Structure de la mémoire vive magnétique Mram de Samsung
© Samsung

Samsung Foundry s’engouffre dans la course vers la mémoire universelle du futur. Le fondeur coréen de semi-conducteurs, quatrième dans le monde derrière le taïwanais TSMC, l’américain GlabalFoundries et le taïwanais UMC, lance la production en série de sa première mémoire vive magnétique (Mram) pour l’embarqué. S’il reste discret sur les capacités offertes aujourd’hui, il promet d’atteindre 1 Gbit dans un an.

Candidate à la mémoire universelle du futur

" Nous sommes très fiers de cette réussite qui consiste à offrir une technologie de mémoire non volatile embarquée (mémoire qui conserve les données sans alimentation d'électricité, NDLR) après avoir surmonté les défis complexes liés aux nouveaux matériaux, déclare dans le communiqué Ryan Lee, vice-président du marketing de Samsung Foundry. En intégrant cette mémoire Mram aux technologies logiques éprouvées existantes, Samsung Foundry continue d’élargir son portefeuille de technologies de mémoires non volatiles afin[…]

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