Samsung accentue sa domination dans les mémoires Dram… aux dépens de SK Hynix et Micron

Fort de son avance technologique, le géant coréen de l’électronique Samsung Electronics porte sa part dans le marché mondial des mémoires Dram à 49% en 2016, contre 45% en 2015 selon TrendForce. Aux dépens de ses deux plus grands concurrents : son compatriote SK Hynix et de l’américain Micron Technology.

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Samsung accentue sa domination dans les mémoires Dram… aux dépens de SK Hynix et Micron
Mémoire Dram de Samsung

C’est une année compliquée pour les mémoires vives Dram mais pas pour Samsung Electronics. Frappé par une surcapacité de production et une chute des prix jusqu’au troisième trimestre 2016, le marché mondial de ces puces, qui forment la mémoire centrale des PC, serveurs ou mobiles, a dévissé de 9,7% en 2016 à 40,6 milliards de dollars selon le cabinet TrendForce. Mais le géant coréen de l'électronique limite la casse en s’en sortant avec un recul de seulement 4,3% à 20,4 milliards de dollars. Une résilience qui accentue sa domination. Sa part de marché grimpe à 49% en 2016, contre 45% en 2015.

Plus grande résilience de Samsung

Ce n’est pas le cas de ses deux plus grands concurrents. Le coréen SK Hynix, numéro deux mondial du marché, accuse une baisse de 14,5% à 10,7 milliards de dollars, deux fois plus forte que celle du marché. Le numéro trois mondial, l’américain Micron Technology, fait pire avec un plongeon de ses ventes 16,2% à 7,7 milliards de dollars. Leurs parts du marché tombent respectivement à 26% et 19% en 2016, contre 28% et 20,5% en 2015.

Considérées comme des commodités, une matière première de l’électronique, les mémoires Dram suivent des cycles alternés de hausse et baisse des prix. Samsung Electronics, qui trône désormais sur près de 50% du marché, affiche la plus grande résistance à ces fluctuations. Cette capacité, il la doit principalement à son avance technologique.

Course à la génération de 18 nanomètres

Le géant coréen de l’électronique a été le premier à passer, en avril 2016, à la production de puces Dram de 8 Gigabit en 18 nanomètres, faisant franchir à cette famille de circuits intégrés une phase cruciale de miniaturisation. Un sacré défi car la mémoire vive constitue la famille de puces la plus difficile à miniaturiser du fait de l’intégration dans ses cellules d’un condensateur. Auparavant, la gravure se limitait à 20 nanomètres. Selon TrendForce, Samsung Electronics dédie toute son usine Fab 17 à la technologie de 18 nanomètres avec l’objectif d’en faire 40% de sa production totale à la fin de 2017.

Micron Technology et SK Hynix tentent de rattraper leur retard. Le groupe américain, qui a racheté en décembre 2016 les parts de taiwanais Nanya Technology dans leur coentreprise Inotera, a profité de l’occasion pour démarrer à Taiwan la fabrication en 18 nanomètres en janvier 2017. Si le résultat s’avère probant, la technologie sera étendue à l’usine d’Inotera au second semestre 2017.

Les petits taiwanais hors course

De son coté, SK Hynix concentre encore son effort sur la génération de 21 nanaomètres avec l'objectif d’améliorer les rendements de production. Mais il n’oublie pas pour autant la génération d’après de 18 nanomètres qu’il prévoit de mettre en production au second semestre 2017.

Les petits fabricants taiwanais Nanya Technology, Winbond Electronics et Powerchip Technology, qui détiennent chacun moins de 3% du marché mondial, semblent hors course. Le premier s’emploie à migrer vers la génération de 20 nanomètre, alors que le deuxième, qui n’en est encore qu’à la génération de 46 nanomètres, prévoit tout juste de passer à celle de 38 nanomètres.

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