Pour bien commencer la semaine, semi-conducteurs GaN, metal binder jetting et cleantechs
Pour bien démarrer la semaine, les pistes d'optimisation du CEA-Leti pour les semi-conducteurs GaN dans l'électronique de puissance, les atouts du metal binder jetting pour réduire les coûts de l'impression 3D de pièces métalliques et le baromètre des cleantechs française. Bonne lecture !
Comment le CEA-Leti veut rendre les semi-conducteurs GaN encore plus performants pour l'électronique de puissance
Particulièrement performants pour l'électronique de puissance, les technologies de nitrure de gallium (GaN) atteignent la maturité suffisante pour passer à l'industrialisation. Mais de nombreuses optimisations sont encore possibles , comme l'a dévoilé Véronique Sousa, directrice de laboratoire au CEA-Leti, lors d'un séminaire consacré à cette technologie.
Impression 3D : Le metal binder jetting vise la production en série
Les procédés de fabrication additive par dépôt de liant intéressent de plus en plus les industriels pour réduire les coûts des pièces métalliques imprimées en 3D . Le métal binder jetting (MBJ) se démarque dans cette catégorie et vient même concurrencer le procédé de fusion laser dans certaines applications.
Les cleantechs françaises gagnent en maturité et visent l’international, d'après le baromètre de Cleantech Open France
Le baromètre 2022 réalisé par le réseau Cleantech Open France auprès de ses adhérents dépeint
un secteur en cours de maturité
. Les résultats ont été révélés le 9 mars.
Pour bien commencer la semaine, semi-conducteurs GaN, metal binder jetting et cleantechs
Tous les champs sont obligatoires
0Commentaire
Réagir