Electronique

NXP fait entrer la technologie française de puces FD-SOI dans les circuits numériques avancés

Ridha Loukil , , , ,

Publié le

Le champion européen des semiconducteurs NXP lance plusieurs puces construites sur substrat de silicium sur isolant FD-SOI, dont un processeur d’application générique. Un choix qui conforte son engagement en faveur de cette filière française et fait entrer cette technologie dans les circuits numériques avancés.

NXP fait entrer la technologie française de puces FD-SOI dans les circuits numériques avancés
Le processeur i.MX7 de NXP dédié aux appareils portés sur soi
© innovatedcaptures

NXP profite d’Embedded World, le salon des systèmes embarqués qui se déroule à Nuremberg, en Allemagne, du 14 au 16 mars 2016, pour lancer un processeur d’application générique de la série i.MX 7 et un processeur d’application dédié à l’automobile et l’industriel de la série i.MX 8. Leur particularité ? Ils sont tous les deux construits, non pas sur du silicium massif comme cela se fait de façon classique, mais sur un substrat de silicium sur isolant avancé connu sous le sigle FD-SOI (Fully depleted silicon on insulator). Une technologie française développée dans l’écosystème de Grenoble par notamment le Leti, STMicroelectronics et Soitec. Les nouveaux processeurs de NXP sont d’ailleurs fabriqués par Samsung Electronics selon une technologie de 28 nanomètres licenciée auprès de STMicroelectronics et sur substrat FD-SOI de l’isérois Soitec.

Supporter historique du silicium sur isolant

Ce ne sont pas là les premiers circuits du marché réalisés en FD-SOI de 28 nanomètres. Les américains Cisco et Ciena utilisent déjà la technologie pour les Asic (circuits intégrés sur mesure) au cœur de leurs équipements de réseaux. Sony le fait aussi pour son dernier GPS destiné aux smartphones et objets connectés portés sur soi. Son circuit équipe une montre connectée de Xiaomi commercialisée en Chine.

Les processeurs d’application i.MX viennent de l’américain Freescale, l’un des fervents supporters historiques de la filière de silicium sur isolant racheté en décembre 2015 par le néerlandais NXP. Le nouveau champion européen des semiconducteurs assume cet héritage. Et avec le lancement de  ses deux nouveaux processeurs d'application conforte son engagement en faveur de la technologie FD-SOI. Un choix qu’il justifie par la volonté de se différencier sur le marché par la réduction de la consommation de courant, l’un des gros avantages de la filière française dans les applications d'objets portés sur soi visées par le nouveau processeur i.MX 7.

Une brèche dans la forteresse de la technologie FinFET

C’est la première fois que la technologie FD-SOI est déployée sur un processeur d’application générique comparable aux circuits SnapDragon de Qualcomm ou Tegra de Nvidia, considéré jusqu’ici comme la chasse gardée de la technologie concurrente FinFET de transistor 3D mise en production chez le géant américain des processeurs Intel ou le taiwanais TSMC, leader mondial des services de fonderie de semiconducteurs. Le lancement de NXP lui apporte le maillon manquant à sa crédibilité et fait tomber le mur qui l’excluait jusqu’ici de facto des circuits numériques avancés. Un vrai tournant !

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