Les fondeurs chinois de semiconducteurs tentés par la technologie française de puces FD-SOI
Selon Digitimes, plusieurs fondeurs de semiconducteurs envisagent l’adoption de la technologie FD-SOI de production de puces en silicium sur isolant. Des projets de nature à favoriser le décollage de cette filière née dans l’écosystème de Grenoble et donner un sérieux coup de pouce à la société iséroise Soitec.
L’avenir de la technologie française de puces FD-SOI réside en grande partie en Chine. Et les signaux envoyés par l’Empire du Milieu s’annoncent prometteurs. Selon Digitimes, les fondeurs chinois de semiconducteurs, qui fournissent des services de fabrication à des concepteurs locaux de circuits intégrés électroniques, envisagent l’adoption de cette technologie. C’est le cas, entre autres, de Shanghai Huali Microelectronics, qui dispose à Shanghai d’une usine de fabrication de puces sur tranches de 300 mm de diamètre d’une capacité mensuelle de 35 000 galettes.
Retard de 3 générations technologiques
La Chine est engagée dans une course effrénée visant à réduire sa dépendance dans les circuits intégrés électroniques vis-à-vis de l’étranger. Les fondeurs chinois affichent aujourd’hui un retard de trois générations technologiques sur des leaders mondiaux comme l’américain Intel, le coréen Samsung Electronics ou le taiwanais TSMC. Alors que leurs grands concurrents sont déjà à la génération de 10 nanomètres, ils se limitent, eux, encore à celle de 28 nanomètres. Ils ne sont présents ni dans celle de 20 ou 22 nanomètres, ni dans celle de 16 ou 14 nanomètres.
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Pour progresser dans la miniaturisation, ils ont le choix entre deux options. La première consiste à changer la conception du transistor en adoptant une structure 3D. C’est la technologie FinFET mise en œuvre par Intel ou TSMC. La seconde réside dans un changement de substrat en utilisant un sandwich de silicium sur isolant. C’est la technologie FD-SOI optimisée pour les générations de puces de 28, 20 et 14 nanomètres. Elle est née en 2012 dans l’écosystème grenoblois d’un effort conjoint de R&D de plusieurs partenaires, dont STMicroelectronics, Soitec et le Leti, le laboratoire d’électronique du CEA à Grenoble. Mais jusqu’ici, elle n’avait pas trouvé le succès escompté dans des circuits de traitement comme les processeurs mobiles, tous acquis à la technologie FinFET.
Expansion de la production chez GlobalFoundries
Selon Digitimes, les fondeurs chinois n’ont aucune chance d’être compétitifs en FinFET du fait de leur retard sur leurs grands concurrents. En revanche, en FD-SOI, technologie plus simple, plus économique et plus facile d’accès, ils ont une vraie carte à jouer dans les applications de l’Internet des objets où elle offre des avantages déterminants de sobriété énergétique et de coût sur la technologie FinFET.
La technologie FD-SOI est disponible aujourd’hui en 28 nanomètres chez STMicroelectronics, à Crolles, près de Grenoble, et Samsung, en Corée du Sud. Et GlobalFoundries se prépare à lancer cette année la production de masse, dans son usine de Dresde, en Allemagne, la version de 22 nanomètres. Signe de l’intérêt croissant du marché, le fondeur américain prévoit non seulement d’en étendre la capacité de fabrication à Dresde, mais aussi de la mettre en production dans son usine de Singapour et dans sa future usine à Chengdu, en Chine.
Horizon éclairci pour Soitec
Cette effervescence constitue un bon signe pour Soitec. La société iséroise, qui fournit le substrat FD-SOI, voit l’horizon s’éclaircir après des années de difficultés provoquées par le retard à l’allumage de la technologie FD-SOI. Elle nourrit d’autant plus d'espoirs en Chine qu’elle a fait entrer, à la faveur d’une augmentation de capital en 2016, le fonds d’investissement chinois NSIG à hauteur de 14,5% de son capital. Elle a également anticipé la demande dans l’Empire du Milieu en nouant en mai 2014 un partenariat avec le fournisseur local de matériau Shanghai Simgui Technology dans la production de plaques de silicium sur isolant de 200 mm de diamètres, en complément de sa propre usine à Bernin, qui tourne déjà à pleine capacité.
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