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Le CEA et IBM collaborent sur la nano-électronique du futur

Les deux partenaires vont travailler sur le développement des technologies nécessaires à la fabrication de circuits intégrés en 22 nm puis 16 nm.


Le CEA-Léti (Laboratoire d'électronique et de technologies de l'information du CEA) et IBM ont conclu un accord de coopération en matière de recherche dans les domaines des semi-conducteurs et de la nano-électronique.

Selon les termes de cet accord d'une durée de 5 ans, les deux partenaires vont travailler sur les matériaux, les procédés et les composants avancés nécessaires au développement de technologies CMOS pour la production de microprocesseurs et de circuits intégrés en gravure de 22 nanomètres, puis 16 nm. Aujourd'hui, les circuits intégrés les plus avancés bénéficient d'une finesse de gravure de 45 nm et la prochaine génération devrait passer à 32 nm à partir de 2010.

Avec cet accord, le CEA-Léti renforce l'écosystème de recherche autour d'IBM sur les semi-conducteurs basé à Albany (New York, USA), en apportant ses compétences spécifiques, notamment en matière de technologies CMOS basse consommation (filières SOI, silicium sur isolant), de lithographie à faisceau d'électrons et de caractérisation aux échelles nano-métriques. Il complète l'accord signé entre IBM et STMicroelectronics en 2007 autour du développement des technologies CMOS.

Mettre en place des alliances globales

« Le développement efficace des technologies CMOS ne peut désormais s'envisager qu'au travers d'alliances globales. Le CEA/Léti a choisi d'apporter sa contribution à l'écosystème IBM car ce partenariat ouvert est celui qui bénéficie le plus directement aux industriels du secteur implantés en Europe », commente Laurent Malier, directeur du CEA-Léti. « Face aux nombreux défis liés aux filières 22 et 16 nanomètres, nous sommes résolument engagés pour accélérer l'émergence des meilleures options ».

Ce programme de travail permettra d'apporter une expertise complémentaire à l'Alliance de recherche IBM. Les travaux de recherche seront menés à la fois sur la plate-forme silicium 300 mm du CEA/Léti de Grenoble (38), sur celle du College of Nanoscale Science & Engineering de l'Université d'Albany, le site de STMicroelectronics à Crolles (38) et l'usine de production de tranches 300 mm d'IBM à Fishkill (New York, USA). Une équipe du CEA/Léti sera basée sur le site Nanotech d'Albany pour travailler sur le programme.

Avec cet accord, le CEA/Léti renforce son rôle de soutien à l'industrie européenne de la microélectronique puisque les travaux issus de cette alliance bénéficieront notamment aux partenaires européens de l'Alliance IBM et aux utilisateurs des technologies issues de l'Alliance.

Ridha Loukil

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