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La mémoire flash la plus fine

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L’avance de Toshiba dans les mémoires flash aura été de courte durée. Samsung lui a grillé la politesse en lançant la production en série de sa puce de 128 Gbit en gravure de classe 10 nanomètres (nm), actuellement la plus fine. Toshiba disposait de la gravure la plus avancée de 19 nm, contre 22 pour Samsung et 20 pour Micron Technology. La mémoire flash de 128 Gbit constitue la puce la plus dense du marché. Le passage à une gravure de classe 10 nm réduit la taille de la puce et booste la densité. D’autant que Samsung utilise, comme Toshiba, une structure de stockage multiniveau à trois bits par cellule de mémoire. Cette puce vise tout particulièrement la réalisation de modules de stockage SSD de plus de 500 Go, alternative statique aux disques durs magnétiques pour PC portables.   

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