L’Europe mise sur le silicium sur isolant pour les puces électroniques du futur

Le projet de R&D européen " Places2Be ", lancé sous la houlette de STMicroelectronics, vise à aider à l’industrialisation des prochaines générations de puces électroniques sur silicium sur isolant. Avec des retombées importantes sur l’écosystème autour de Grenoble.

Soutenir la filière européenne de silicium sur isolant complètement déplété (FD-SOI), à la base des prochaines générations de puces électroniques de STMicroelectronics, c’est l’objectif du projet européen de R&D " Places2Be ". Lancé dans le cadre de l’initiative technologique conjointe Eniac Ju entre Etats, Union Européenne et industriels dans le secteur de la micro et nanoélectronique, il mobilise 19 participants de sept pays. Il bénéficie d’un budget de 360 millions d’euros sur trois ans, dont 260 millions d’euros financés par les industriels, 46 millions par les Etats participants et 52,5 millions par le consortium Eniac Ju.

Favoriser l’émergence d’une filière européenne

Au programme : le soutien au déploiement d’une ligne pilote sur le site de STMicroelectronics à Crolles, en Isère, et d’une ligne de production en volume sur le site de GlobalFoundries à Dresde, en Allemagne. L’objectif du projet est de favoriser l’émergence d’une filière européenne d’excellence dans le FD-SOI en aidant à l’industrialisation de cette technologie pour les prochaines générations de puces électroniques en gravure de 28 nm, 14 nm et 10 nm.

La technologie FD-SOI s’impose comme une spécialité européenne et même française. C’est en effet le français Soitec, basé à Bernin, près de Grenoble, qui fournit près de 85% des plaques de silicium sur isolant dans le monde. Cette technologie se présente comme une alternative à la technologie FinFET de transistor 3D développée par Intel pour perpétuer la Loi de Moore, sans faire augmenter la consommation d’énergie. Car avec la miniaturisation, les courants de fuite grimpent en flèche, obligeant donc soit à revoir la conception des puces (comme le fait Intel depuis un an en utilisant des transistors 3D), soit à changer de substrat (ce que AMD fait depuis longtemps en utilisant du silicium sur isolant).

248 millions d’euros sur trois ans

Soitec, STMicroelectronics et le CEA-Leti ont conjointement développé la technologie FD-SOI pour des puces en gravure de 28 nm, que le fabricant franco-italien a mis en production de volume au début de l’année, à Crolles, pour ses circuits les plus avancés destinés à des applications comme les mobiles, les décodeurs numériques, les télécoms ou les Asic (puces spécifiques). STMicroelectronics a également transférée cette technologie au fondeur GlobalFoundries, à Dresde, pour qu’il la propose à ses clients. Le projet "Places2Be" devrait accélérer la montée en puissance de cette génération technologique tout en aidant l’industrialisation des deux générations suivantes : celles de 14 et 10 nm. Les retombées sur le site de STMicroelectronics à Crolles représentent un montant de 248 millions d’euros sur trois ans, dont 44 millions d’euros en provenance de l’Etat français.

Reste que la technologie FD-SOI est un pari. Aujourd’hui, seul STMicroelectronics l’a adoptée à l’échelle commerciale. Pour qu’elle devienne une alternative viable à long terme, il faut qu’elle séduise aussi d’autres grands industriels des semi-conducteurs, ce qui n’est pas gagné d’avance.

Ridha Loukil

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