Electronique

Intel défie Samsung, Toshiba Memory et Western Digital dans les mémoires flash 3D

Ridha Loukil , , , ,

Publié le

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Pour sa prochaine génération de mémoire flash 3D prévue en 2020, Intel compte empiler 144 couches de stockage de données, contre 128 pour ses concurrents. Un vrai défi lancé à Samsung Electronics, Toshiba Memory et Western Digital qui dominent à 67% le marché.  

Intel défie Samsung, Toshiba Memory et Western Digital dans les mémoires flash 3D
Rob Crooke, patron de l'activité mémoires d'Intel, annonçant la future puce flash 3D
© Intel Corporation

Intel à l’offensive dans les mémoires flash 3D. Le numéro un mondial des semi-conducteurs lancera en 2020 sa prochaine génération de puce avec, non pas 128 couches de stockage de données comme le prévoient tous ses concurrents, mais 144. Et pour annoncer cette bombe, il a choisi, non pas son siège à Santa Clara, en Californie, mais Séoul, en Corée du Sud, lors d’un évènement sur les mémoires le 26 septembre 2019. Une manière de tacler les coréens Samsung Electronics et SK Hynix qui dominent à 70% le marché mondial des puces mémoires, toutes familles confondues, selon le cabinet TrendForce.

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