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Intel a-t-il vraiment perdu la course de la loi de Moore ?

Ridha Loukil , ,

Publié le

Depuis le lancement par Samsung et TSMC de la production de puces de 10 nanomètres, le numéro un mondial des semiconducteurs Intel est considéré comme ayant perdu sa légendaire avance dans les technologies de production. Est-ce vraiment le cas ? Pas si simple. Un analyste décrypte la réalité de la situation.

Intel a-t-il vraiment perdu la course de la loi de Moore ?
Puce SkyLake de 14 nanomètres, la technologie nec plus ultra d'Intel

Les entreprises citées

Depuis le quatrième trimestre 2016, Samsung et TSMC produisent en volume des puces en technologie FinFET 10 nm, c’est-à-dire avec des transistors 3D et une gravure de 10 nanomètres. Le numéro un mondial des semiconducteurs Intel en est encore à la génération de 14 nanomètres et n’envisage la mise en production de celle de 10 nanomètres qu’au second semestre 2017. Ce qui laisse penser, du moins en apparence, qu’il a perdu sa légendaire avance dans les technologies de production.

Appellations commerciales différentes des réalités industrielles

Mais est-ce vraiment le cas ? Dans un article sur le blog boursier Seeking Alpha sous le titre "la vérité sur l'avance d'Intel en production", l’analyste au pseudonyme Business Quant tente de décrypter la situation. Et la réalité s’avère plus compliquée que les apparences ne le laissent penser. « Les nœuds technologiques annoncés par Intel, TSMC, GlobalFoundries et Samsung sont radicalement différents les uns des autres, écrit-il. Pour les novices, le procédé de 16 nanomètres de TSMC est considéré comme proche dans la réalité de 20 nanomètres. Les puces fabriqués avec ces procédés tendent à avoir des éléments aux géométries différentes. Les nœuds technologiques annoncés sont volontairement réduits à desseins de marketing. Ils ne reflètent pas les géométries précises constatées dans la réalité. »

Quand Intel, Samsung ou GlobalFoundries parlent de FinFET 14 nm, ils parlent d’appellations commerciales différentes des réalites industrielles. Ceci ne signifie pas qu’ils mettent en œuvre la même finesse de gravure dans la réalité. Il n’existe pas de standard qui serait adopté par tous les fabricants de semiconducteurs. ASML, numéro un mondial des équipements de lithographie, propose une formule qui illustre la finesse d’un procédé de fabrication en fonction de la densité des transistors et de celle des pistes d’interconnexion. Mais aucun grand fabricant de semiconducteurs ne la retient dans ses appellations commerciales.

Avantage de 1 nanomètre de TSMC et Samsung sur Intel aujourd'hui

C’est en utilisant cette formule que l’analyste tente de comparer les technologies chez Intel, GlobalFoundries, Samsung et TSMC. La technologie commerciale de 14 nanomètres utilise dans la réalité une finesse de gravure de 17 nanomètres chez Samsung et GlobalFoundries, mais 13 nanomètres chez Intel, alors que celle de 16 nanomètres de TSMC en est en vérité à 18 nanomètres. Ce qui fait dire à l’analyste qu’Intel était en avance sur tous ses grands concurrents jusqu’au troisième trimestre 2016, et ce malgré les apparences qui mettaient tout le monde à égalité.

Mais qu’en-est-il maintenant ? Selon la formule d’ASML, avec leurs technologies affichées de 10 nanomètres, Samsung et TSMC sont dans la réalité à 12 nanomètres, ce qui leur donne une avance de seulement 1 nanomètre sur Intel. Pas de quoi pavoiser. Car dès que le numéro un mondial des semiconducteurs sera passé à la technologie de 10 nanomètres au second semestre 2017, il reprendra son titre de leader puisque son futur procédé offre dans la réalité une géométrie de 9,5 nanomètres. Mais à moyen terme, sa suprématie est menacée. « Même en se basant sur la formule de comparaison d’ASML, son avance va s’évanouir dans les deux ans à venir », avertit l’analyste.

TSMC l'emporte à moyen terme

TSMC affiche un planning de migration technologique extrêmement agressif. Il prévoit la génération de 7 nanomètres en 2018 et celle de 5 nanomètres en 2019, alors qu’Intel programme celle de 7 nanomètres entre 2020 et 2021. Avec le passage à sa technologie commerciale de 7 nanomètres, le fondeur taiwanais serait dans la réalité à une géométrie de 9,2 nanomètres, contre 9,5 nanomètres pour Intel. Une différence minime qui va toutefois se creuser avec la technologie commerciale de 5 nanomètres de TSMC à une géométrie réelle de 7,1 nanomètres. La bascule aura lieu donc entre 2019 et 2020. TSMC deviendra alors le leader technologique de toute l’industrie des semiconducteurs. Un vrai tournant !

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