IBM tente de concilier les technologies française et américaine de puces

Fabrication chez GlobalFoundries

IBM utilisait jusqu’ici la technologie PD-SOI (Partially depleted silicon on insultor ou silicium sur isolant partiellement déplété), l’ancêtre de la technologie FD-SOI (Fully depleted silicon on insulator ou silicium sur isolant complètement déplété) promue aujourd’hui par Soitec et mise en production chez STMicroelectronics, GlobalFoundries et Samsung. C’est dans l’usine Fab 8 à Saratoga (Etat de New York) de GlobalFoundries que sa nouvelle génération de processeurs est fabriquée avec la nouvelle technologie hybride de gravure de 14 nanomètres développée conjointement par les deux parties.

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Deux approches techniques s’affrontent dans la course de la loi de Moore : l’une française, l’autre américaine. Pour poursuivre la miniaturisation, la technologie française propose de changer juste le substrat en passant au silicium sur isolant, au lieu et place du substrat traditionnel en silicium massif. La technologie américaine FinFET impose un changement de conception avec le passage à un transistor en structure 3D.

Demi-victoire pour Soitec

IBM a choisi de combiner les deux technologies, perçues jusqu’ici comme concurrentes. Une façon de gagner une génération technologique sans passer à la technologie FinFET de 10 nanomètres sur silicium massif, qui constitue aujourd’hui la technologie nec plus ultra de production de puces électroniques. Cette méthode hybride bénéficie déjà au processeur des nouveaux Mainframe Z annoncés le 13 septembre 2017. Certes, pour Soitec qui positionne la technologie FD-SOI comme une alternative à la technologie FinFET, c’est une demi-victoire. Mais c’est mieux que de voir IBM basculer sur la technologie FinFET sur silicium massif.

Concernant AMD, nous avions écrit qu’il allait passer à la technologie FD-SOI de 12 nanomètres de GlobalFoundries pour sa prochaine génération de processeurs graphiques et microprocesseurs pour PC. C’était une erreur d’interprétation de notre part. Le challenger d’Intel dans les microprocesseurs X86, qui a délaissé la technologie du silicium sur isolant à partir de 2008, va seulement passer à une technologie FinFET plus fine chez GlobalFoundries : 12 nanomètres, au lieu de 14 nanomètres aujourd’hui.