Hynix réinvente la mémoire vive
Le fabricant coréen a développé la première puce Dram de 2 Go fabriquée en gravure de 30 nm.
Il n’y a pas que la mémoire Flash qui gagne en finesse de gravure. La mémoire vive Dram, qui constitue la mémoire centrale des ordinateurs, bénéficie également de cette évolution. Et c’est le coréen Hynix Semiconductor Inc, numéro deux mondial du secteur derrière Samsung Electronics, qui donne le coup d’envoi. Il est en effet le premier dans le monde à présenter une puce DRAM DDR4 de 2 Gbit réalisée en gravure de 30 nm. De quoi construire des modules d’une capacité de 2 Go par assemblage de huit puces.
La DRAM DDR4 est une puce mémoire de nouvelle génération qui consomme moins d’énergie pendant le transfert de données et qui est deux fois plus rapide que la génération précédente DRAM DDR3. Elle offre ainsi une vitesse de 2 400 Mbit/s, soit 80 % de mieux que la génération DDR3. Le module de Hynix fonctionne à une tension de 1,2V et traite jusqu'à 19,2 Go de données par seconde.
Aujourd’hui, les mémoires Dram les plus avancées disponibles sur le marché utilisent une finesse de gravure de 50 ou 60 nm.
Hynix prévoit de commencer la production en volume de ce produit dans la seconde moitié de 2012.
Ridha Loukil
Pour en savoir plus : http://www.hynix.com
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