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GlobalFoundries prêt pour la prochaine génération de puces électroniques de 7 nanomètres

Ridha Loukil , , ,

Publié le

Le fondeur américain de semiconducteurs GlobalFoundries a finalisé le développement de sa technologie de fabrication de puces électroniques en gravure de 7 nanomètres. Il prévoit de la mettre en production au premier semestre 2018.

GlobalFoundries prêt pour la prochaine génération de puces électroniques de 7 nanomètres
L'usine Fab8 de GlobalFoundries à Saragota, Etat de New York
© GlobalFoundries

GlobalFoundries rejoint la course de la prochaine génération de puces électroniques. Le fondeur américain de semiconducteurs, deuxième du marché derrière le taiwanais TSMC, vient de finaliser le développement de sa technologie FinFET 7nm à hautes performances utilisant des transistors 3D et une gravure de 7 nanomètres. Elle sera mise en production pilote au premier semestre 2018 à l’usine Fab8 à Saragota, dans l’Etat de New York, pour un passage en production de volume au second semestre 2018. Elle sera dédiée à la fabrication de processeurs haut de gamme au cœur des mobiles, serveurs et autres équipements du cloud.

Impasse sur la technologie de 10 nanomètres

La génération la plus avancée disponible actuellement chez GlobalFoundries est la technologie FinFET 14 nm qui offre une gravure de 14 nanomètres. Elle a été mise en production en 2016 dans l’usine Fab 8. Elle est notamment utilisée pour la fabrication des nouveaux processeurs Ryzen à architecture Zen d’AMD.

Alors que TSMC et Samsung Electronics en sont déjà à la génération d’après de 10 nanomètres, GlobalFoundries a choisi de faire l’impasse sur cette technologie et de passer directement à celle de 7 nanomètres que ses deux grands concurrents prévoient de lancer en production à la fin de 2017 ou au début de 2018. Un choix dicté par ses plus gros clients, dont AMD, qui n’envisagent pas de passer par la génération de 10 nanomètres. Le passage direct à 7 nanomètres offre un saut important en performances : un gain de 40% en puissance de traitement et une réduction de moitié de la taille du transistor par rapport à la technologie de 14 nanomètres, selon le fondeur.

Développement en parallèle de la technologie de 5 nanomètres

GlobalFoundries participe aux cotés de IBM et Samsung au programme de recherche collaboratif public-privé de SUNY Polytechnic Institue, à Albany, dans l’Etat de New York. C’est dans le cadre de ce partenariat que la base de sa technologie de 7 nanomètres a été développée il y a deux ans.

Tout en mettant la dernière main à sa technologie de 7 nanomètres, le fondeur américain développe activement les prochaines générations de 5 nanomètres et au-delà pour offrir à ses clients une feuille de route d'avant-garde. Ce développement est mené dans le cadre du partenariat avec IBM et Samsung. La première puce fonctionnelle, réalisée en technologie de 5 nanomètres, vient d’être démontrée par IBM.

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