Everspin et GlobalFoundries préparent la future mémoire magnétique de 12 nanomètres
Les américains Everspin Technologies et GlobalFoundries ont décidé d’étendre leur partenariat à la prochaine génération de mémoire magnétique de 12 nanomètres. De quoi prendre de l’avance sur un marché encore insignifiant aujourd’hui mais promis à l’explosion.
Les américains Everspin Technologies et GlobalFoundries ont conclu un accord étendant leur partenariat à la prochaine génération de mémoire magnétique (Mram) de 12 nanomètres. Ils vont développer conjointement les procédés de fabrication de cette future puce. Ils se gardent d’en indiquer l’horizon commercial. La génération la plus avancée disponible aujourd'hui s'appuie sur une technologie de 22 nanomètres.
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