Electrotechnique : Mosfets en carbure de silicium

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Electrotechnique : Mosfets en carbure de silicium

Pour le compte de la Nasa, Cree Research a réussi à fabriquer des transistors MOS de puissance à effet de champ (Mosfet) en carbure de silicium. Le carbure de silicium permet un fonctionnement jusqu'à 650°C et permet de mieux dissiper la chaleur générée. Ces transistors devraient aussi être plus résistants aux rayonnements ionisants, une caractéristique particulièrement intéressante, par exemple, pour l'électronique de puissance de centrales nucléaires.

USINE NOUVELLE N°2492

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