Electronique

Électronique : Un vrai transistor 3 D inventé en France

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Des chercheurs du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (Laas), à Toulouse, et de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN), à Lille, ont développé un transistor 3 D avec une grille de seulement 14 nm, contre 28 pour les puces actuelles. Selon Guilhem Larrieu, chercheur au Laas, la technologie 3 D, déjà en production chez Intel pour ses microprocesseurs en 22 nm, constitue une première marche vers la vraie 3 D et serait limitée en miniaturisation à 12 nm. Le transistor français offrirait le potentiel de descendre en dessous de 10 nm, tout en conservant une fabrication simple. Brevetée, cette innovation se situe au stade 3-4 sur l’échelle de maturation technologique allant de 1 à 9.
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