Electronique : IBM annonce les premières mémoires à effet tunnel

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Electronique : IBM annonce les premières mémoires à effet tunnel

Le laboratoire d'IBM à Almaden (Californie) planche sur les mémoires quantiques. Elles sont basées sur l'effet tunnel, un principe de mécanique quantique. Un électron est capable de passer d'un état à un autre (état de " spin " que l'on assimile à un " 0 " et à un " 1 ") avec une consommation minimale d'énergie. Les essais d'IBM ont mis en évidence des temps de lecture-écriture de dix nanosecondes, près de dix fois plus rapides que les technologies les plus récentes.

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