Transistors pour convertisseurs à haut rendement

La combinaison d’une faible résistance à l’état passant et d’une charge de grille réduite permet d’obtenir une réduction de 10% des pertes dans les convertisseurs de moyenne puissance (200 W) par rapport à leurs équivalents en boîtier SO-8 “ amélioré ”.
Supportant 80 et 100 V, ces deux MOS DirectFET s’utilisent en commutation au primaire.L’IRF6662 (100 V) présente une résistance passante de 22 mOhm et des capacités de grille de 22 nC et de réaction de 6,8 nC.
L’IRF6668 (80 V) a une résistance passante de 15 mOhm (10% de mieux que les composants concurrents).
La technologie d’encapsulation DirectFET permet l’évacuation de la chaleur sur les deux faces de la puce, d’où une augmentation possible de 15% de la densité de puissance des convertisseurs 200 W isolés à sortie 8 V alimentés en 48 V.