Transistors MOSFET durcis

Référencés IRHLUB7970Z4 (canal P) et IRHLUB770Z4 (canal N), ces transistors MOSFET durcis aux radiations peuvent être commandés directement par une porte logique ou un microcontrôleur alimenté sous 3,3 V à 5 V. Ils remplacent avantageusement les transistors bipolaires classiques (2N2907A et 2N2222A, …), avec une vitesse et un rendement améliorés.Les transistors IRHLUB7970Z4 et IRHLUB770Z4 sont encapsulés dans un boîtier à 3 broches UB pour montage en surface ou traversant. Ils ont une tenue en tension drain-source de 60 V, une tension de seul variant de 1 à 2 V et une résistance à l’état passant de 0,55 et 1,2 Ohm respectivement. Ils supportent un niveau de radiation de 100 krad et subissent un durcissement aux SEE (Single-Event Effect) jusqu’à un LET (Linear Energy Transfer) de 82 MeV/(mg/cm2).